合肥晶合集成电路股份有限公司李文超获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119965137B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510431513.6，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置是由李文超;林政纬;杨智强;贾涛设计研发完成，并于2025-04-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置。该半导体器件的制造方法包括如下步骤：将待刻蚀工件设置于位于刻蚀腔室内的静电吸盘上，对待刻蚀工件进行刻蚀；在对待刻蚀工件进行刻蚀的过程中，对静电吸盘中的载台施加至少一次正向电压和至少一次与正向电压的极性相反的反向电压。该制备方法能够去除待刻蚀工件表面附着的固体颗粒，从而提高制备的半导体器件的良率。
本发明授权半导体器件的制造方法及半导体器件的制造装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤： 将待刻蚀工件设置于静电吸盘上，对所述待刻蚀工件依次进行第一刻蚀工序、过渡工序以及第二刻蚀工序； 在进行所述过渡工序的过程中同步对所述静电吸盘进行一次或多次颗粒去除处理，所述颗粒去除处理包括对所述静电吸盘施加一次正向电压和一次与所述正向电压的极性相反的反向电压，在所述颗粒去除处理的过程中，根据刻蚀腔室内的气压调控所述正向电压的电压值和所述反向电压的电压值；在所述过渡工序中，所述刻蚀腔室内的气压随时间逐渐变化，所述正向电压的电压值和所述反向电压的电压值随着所述气压的变化而逐渐变化；当所述刻蚀腔室内的气压值较大时，控制所述正向电压的电压值和所述反向电压的电压值也较大，当所述刻蚀腔室内的气压值较小时，控制所述正向电压的电压值和所述反向电压的电压值也较小。
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