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龙图腾网获悉攀枝花镁森科技有限公司;西昌学院申请的专利一种LED芯片缺陷检测方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119936631B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510422038.6，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权一种LED芯片缺陷检测方法、装置、设备及存储介质是由陈小宁;邹敏设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED芯片缺陷检测方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及缺陷检测技术领域，尤其涉及一种LED芯片缺陷检测方法、装置、设备及存储介质。所述方法包括以下步骤：获取LED芯片样本的结构数据；基于LED芯片样本的结构数据对LED芯片进行芯片电性连接，生成芯片电性连接数据；对芯片电性连接数据进行电气连接关键层级确认，并对确认的电气连接关键层级进行三维重建，得到电气连接金属化层的三维结构数据；将金属化层的三维结构数据划分为金属化层外部三维结构数据和金属化层内部三维结构数据；对金属化层外部三维结构数据进行温度均衡缺陷检测，生成金属化层表面缺陷检测数据。本发明自动化三维结构重建、全面缺陷检测、智能预测与评估，提高了芯片内部细微材料层级缺陷检测的精准性。

本发明授权一种LED芯片缺陷检测方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种LED芯片缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1：获取LED芯片样本的结构数据；基于LED芯片样本的结构数据对LED芯片进行芯片电性连接，生成芯片电性连接数据；对芯片电性连接数据进行电气连接关键层级确认，并对确认的电气连接关键层级进行三维重建，得到电气连接金属化层的三维结构数据； 步骤S2：将金属化层的三维结构数据划分为金属化层外部三维结构数据和金属化层内部三维结构数据；对金属化层外部三维结构数据进行温度均衡缺陷检测，生成金属化层表面缺陷检测数据；对金属化层内部三维结构数据进行粒子群像缺陷检测，生成金属化层内部缺陷检测数据；整合金属化层表面缺陷检测数据和金属化层内部缺陷检测数据，得到电气连接金属化层缺陷检测数据；步骤S2包括以下步骤： 步骤S21：基于金属化层的三维结构的厚度将金属化层的三维结构数据划分为金属化层外部三维结构数据和金属化层内部三维结构数据； 步骤S22：利用红外成像传感器对LED芯片进行芯片金属化层表面温度分布分析，生成芯片金属化层表面温度分布数据；根据芯片金属化层表面温度分布数据对金属化层外部三维结构数据进行温度均衡缺陷检测，生成金属化层表面缺陷检测数据；步骤S22包括以下步骤： 步骤S221：利用红外成像传感器对LED芯片进行芯片金属化层表面温度图像采集，得到金属化层表面温度图像； 步骤S222：对金属化层表面温度图像进行图像预处理，生成标准金属化层表面温度图像，其中图像预处理包括图像校正和图像去噪；对标准金属化层表面温度图像进行图像数据转换，生成金属化层温度信息数据； 步骤S223：将金属化层温度信息数据进行温度分布映射，生成芯片金属化层表面温度分布数据；根据芯片金属化层表面温度分布数据对标准金属化层表面温度图像进行相邻像素温度差值计算，得到每一组相邻像素的温度差值； 步骤S224：通过每一组相邻像素的温度差值对芯片金属化层表面温度分布数据进行均匀程度分析，生成芯片金属化层表面温度均匀度数据；利用芯片金属化层表面温度均匀度数据对金属化层外部三维结构数据进行温度均衡缺陷检测，生成金属化层表面缺陷检测数据； 步骤S23：利用粒子脉冲技术对LED芯片进行高速粒子发射，得到高速粒子脉冲数据；通过高速粒子脉冲数据对金属化层内部三维结构数据进行粒子群像缺陷检测，生成金属化层内部缺陷检测数据；步骤S23包括以下步骤： 步骤S231：利用粒子脉冲技术对LED芯片进行高速粒子发射，得到高速粒子脉冲数据； 步骤S232：对高速粒子脉冲数据进行粒子信号特征识别，生成粒子信号特征数据；根据粒子信号特征数据对高速粒子脉冲数据进行粒子传播路径分析，生成粒子传播路径数据； 步骤S233：将粒子传播路径数据和金属化层内部三维结构数据进行结构映射，生成金属化层内部粒子结构映射数据；对金属化层内部粒子结构映射数据分别进行粒子反射以及散射分析，生成金属化层粒子群像数据； 步骤S234：对金属化层粒子群像数据进行粒子脉冲信号均匀性量化，生成粒子脉冲信号均匀性值；基于粒子脉冲信号均匀性值对金属化层内部三维结构数据进行粒子内部缺陷检测，生成金属化层内部缺陷检测数据； 步骤S24：整合金属化层表面缺陷检测数据和金属化层内部缺陷检测数据，得到电气连接金属化层缺陷检测数据； 步骤S3：对电气连接金属化层缺陷检测数据进行模型训练，生成LED芯片电气连接缺陷预测模型；将电气连接金属化层的三维结构数据导入至LED芯片电气连接缺陷预测模型中进行芯片电气连接缺陷预测，生成电气连接缺陷预测数据； 步骤S4：根据电气连接缺陷预测数据对LED芯片进行芯片电路连接稳定性评估，生成芯片电路连接稳定性评估数据；将芯片电路连接稳定性评估数据进行数据可视化，从而生成LED芯片电路缺陷检测报告。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人攀枝花镁森科技有限公司;西昌学院，其通讯地址为：617000 四川省攀枝花市仁和区南山循环经济发展区橄榄坪园北路68号一号厂房；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。