通威太阳能(成都)有限公司刘旭获国家专利权
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龙图腾网获悉通威太阳能(成都)有限公司申请的专利太阳电池及其制备方法、光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947350B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510426192.0，技术领域涉及：H10F77/70；该发明授权太阳电池及其制备方法、光伏组件是由刘旭;王永洁设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳电池及其制备方法、光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及太阳电池技术领域，公开一种太阳电池及其制备方法、光伏组件，该太阳电池包括硅基底；第一钝化层，所述第一钝化层位于所述硅基底上；图形化的第一掺杂硅层，所述第一掺杂硅层位于所述第一钝化层上；第二掺杂硅层，所述第二掺杂硅层的一部分位于所述第一掺杂硅层上，所述第二掺杂硅层的其余部分位于所述第一掺杂硅层未覆盖的所述第一钝化层上；所述第二掺杂硅层的掺杂浓度小于所述第一掺杂硅层的掺杂浓度；第一透明导电层，所述第一透明导电层位于所述第二掺杂硅层上。该太阳电池能有效改善钝化层与掺杂硅层之间的载流子复合较多的问题，提高界面处的载流子传输能力。
本发明授权太阳电池及其制备方法、光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池为异质结太阳电池，所述太阳电池包括： 硅基底； 第一钝化层，所述第一钝化层位于所述硅基底上； 图形化的第一掺杂硅层，所述第一掺杂硅层位于所述第一钝化层上； 第二掺杂硅层，所述第二掺杂硅层的一部分位于所述第一掺杂硅层上，所述第二掺杂硅层的其余部分位于所述第一掺杂硅层未覆盖的所述第一钝化层上；所述第二掺杂硅层的掺杂浓度小于所述第一掺杂硅层的掺杂浓度；所述第一掺杂硅层背离所述第一钝化层的表面均覆盖有所述第二掺杂硅层； 第一透明导电层，所述第一透明导电层位于所述第二掺杂硅层上； 第一电极，所述第一电极设置于所述第一透明导电层背离所述硅基底的一侧表面。
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