成都万应微电子有限公司张翠翠获国家专利权
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龙图腾网获悉成都万应微电子有限公司申请的专利芯片封装方法、结构及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119890061B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510369877.6，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权芯片封装方法、结构及系统是由张翠翠;马鹏鹏;孙瑜;石先玉;万里兮设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装方法、结构及系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种芯片封装方法、结构及系统，涉及芯片加工领域。该方法包括：确定信号线的第一长度和第一高度，以及屏蔽线的第二长度和第二高度；按照第一长度和第一高度将信号线键合在芯片和基板上，以及按照第二长度和第二高度将屏蔽线键合在芯片和基板上；在基板上封装屏蔽盖；芯片、信号线和屏蔽线设置在屏蔽盖中；信号线和屏蔽盖之间的第一电容、屏蔽线和信号线之间的第二电容、信号线与基板之间的第三电容中的一者或多者用于调节芯片封装结构的隔离度。
本发明授权芯片封装方法、结构及系统在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装方法，其特征在于，应用于芯片封装结构，所述方法包括： 确定信号线的第一长度和第一高度，以及屏蔽线的第二长度和第二高度； 按照所述第一长度和所述第一高度将所述信号线键合在芯片和基板上，以及按照所述第二长度和所述第二高度将所述屏蔽线键合在芯片和基板上； 在所述基板上封装屏蔽盖；其中，所述芯片、所述信号线和所述屏蔽线设置在所述屏蔽盖中；所述信号线和所述屏蔽盖之间的第一电容、所述屏蔽线和所述信号线之间的第二电容、所述信号线与所述基板之间的第三电容中的一者或多者用于调节芯片封装结构的隔离度； 所述确定信号线的第一长度和第一高度，以及屏蔽线的第二长度和第二高度，包括： 根据所述芯片封装结构的目标隔离度确定所述第一电容、所述第二电容和所述第三电容； 根据所述第一电容、所述第二电容和所述第三电容确定所述第一长度、所述第一高度、所述第二长度和所述第二高度。
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