中国科学院赣江创新研究院黄晓旭获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院赣江创新研究院申请的专利一种高结晶度且高C轴择优取向的ScAlN薄膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119824382B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510319059.5，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种高结晶度且高C轴择优取向的ScAlN薄膜及其制备方法和应用是由黄晓旭;曹端文;张伟刚设计研发完成，并于2025-03-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高结晶度且高C轴择优取向的ScAlN薄膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种高结晶度且高C轴择优取向的ScAlN薄膜及其制备方法和应用，所述制备方法包括：将第一和第二靶材分别置于第一和第二磁控溅射靶位，利用惰性气体等离子体在0.5Pa‑1.5Pa的工作真空度下对硬质基片进行预清洗并达到软刻蚀效果；将氮气等离子体作为反应气体，惰性气体作为工作气体，第一和第二靶材同时在所得软刻蚀硬质基片表面反应共溅射，得到高结晶度且高C轴择优取向的ScAlN薄膜。本发明采用硬质基片惰性气体等离子体预清洗+氮气等离子体辅助反应+双靶共溅射相结合，搭配特定预清洗的工作真空度，可以制备得到结构稳定性更优、表面应力更低、内部缺陷更少、结晶度更高的C轴择优取向的ScAlN薄膜。
本发明授权一种高结晶度且高C轴择优取向的ScAlN薄膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种高结晶度且高C轴择优取向的ScAlN薄膜的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤： （1）将第一靶材置于第一磁控溅射靶位，第二靶材置于第二磁控溅射靶位，利用惰性气体等离子体在1Pa-1.5Pa的工作真空度下对硬质基片进行预清洗10min-60min并达到软刻蚀效果，得到软刻蚀硬质基片； 其中，所述惰性气体等离子体通过将惰性气体通入离子源中进行离化得到，所述离子源的功率为100W-400W； 所述离子源为阳极离子源； （2）将氮气等离子体作为反应气体，惰性气体作为工作气体，所述第一靶材和所述第二靶材同时在所述软刻蚀硬质基片表面反应共溅射，得到高结晶度且高C轴择优取向的ScAlN薄膜； 所述ScAlN薄膜的002晶面半高宽≤0.250°，002晶面衍射峰强度值≥70000。
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