南京大学吴迪获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉南京大学申请的专利一种La掺杂氧化铪基铁电薄膜、电容器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815842B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510276203.1，技术领域涉及：H10D1/68；该发明授权一种La掺杂氧化铪基铁电薄膜、电容器及其制备方法是由吴迪;卿明凯;矫佩杰设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种La掺杂氧化铪基铁电薄膜、电容器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种La掺杂氧化铪基铁电薄膜、电容器及其制备方法，所述La掺杂氧化铪基铁电薄膜为单一（111）取向的正交相结构，制备方法为先在（111）取向钙钛矿衬底上外延生长取向一致的缓冲层，再在缓冲层表面外延生长La掺杂氧化铪基铁电薄膜层，得到La掺杂氧化铪基铁电薄膜，精确调控薄膜厚度，实现对La掺杂氧化铪基铁电薄膜性能的优化，满足电子器件对高性能铁电薄膜的需求。本发明提出的激光脉冲沉积外延La掺杂氧化铪基铁电薄膜纯度高、成膜均匀性好；同时操作工艺简单、能耗低、无污染并且易于实现工业化。
本发明授权一种La掺杂氧化铪基铁电薄膜、电容器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种La掺杂氧化铪基铁电薄膜，其特征在于，La掺杂氧化铪基铁电薄膜为单一（111）取向的正交相结构；La掺杂氧化铪基的La掺杂浓度为2~8at%；所述La掺杂氧化铪基铁电薄膜的制备方法为先在（111）取向钙钛矿衬底上外延生长取向一致的缓冲层，再在缓冲层表面外延生长La掺杂氧化铪基铁电薄膜层，得到La掺杂氧化铪基铁电薄膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人南京大学，其通讯地址为：210009 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号