买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉金阳(泉州)新能源科技有限公司申请的专利一种背接触电池及其无刻蚀制造方法和电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119744024B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510259927.5，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权一种背接触电池及其无刻蚀制造方法和电池组件是由邱新旺;林楷睿;许志设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种背接触电池及其无刻蚀制造方法和电池组件在说明书摘要公布了：本发明属于背接触电池技术领域，具体涉及一种背接触电池及其无刻蚀制造方法和电池组件，方法包括在硅片的背光面沉积本征非晶硅层；在本征非晶硅层外表面形成交替分布的第一掺杂区、第二掺杂区以及在第一掺杂区和第二掺杂区之间的共掺杂区；在共掺杂区外表面设置硬掩膜版，在背光面沉积导电膜层、金属电极。本发明避免了使用高温激光和化学刻蚀，从而减少了对电池的损伤和环境污染，显著提高生产良率，显著降低生产成本，同时提高电池的可靠性和使用寿命，并能获得好的电池效率。

本发明授权一种背接触电池及其无刻蚀制造方法和电池组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池的无刻蚀制造方法，其特征在于，包括如下步骤： S1、提供硅片； S2、在硅片的背光面沉积本征非晶硅层； S3、在本征非晶硅层外表面预设交替分布的第一掺杂区、第二掺杂区以及在第一掺杂区和第二掺杂区之间的共掺杂区；第一掺杂区、第二掺杂区中一个为N型，另一个为P型；所述共掺杂区的掺杂源包含第一掺杂区的掺杂源A和第二掺杂区的掺杂源B； 先使用第一硬掩膜遮挡住背光面的预设第二掺杂区和预设共掺杂区，在背光面生长目标厚度的第一掺杂硅以形成第一掺杂区；其中控制第一硬掩膜与本征非晶硅层之间的距离D大于第一掺杂硅的目标厚度； S4、之后使用第二硬掩膜遮挡住背光面的预设第一掺杂区和预设共掺杂区，生长目标厚度的第二掺杂硅以形成第二掺杂区；其中，第二硬掩膜与本征非晶硅层之间的距离d大于第二掺杂硅的目标厚度；同时在第一掺杂硅、第二掺杂硅的接触部分区域自然形成共掺杂区； S3中D和第一掺杂硅的目标厚度的比值为10-20000：1，S4中d和第二掺杂硅的目标厚度的比值为10-20000：1，第一掺杂硅的目标厚度控制在8-20nm；第二掺杂硅的目标厚度控制在8-20nm； S5、在共掺杂区外表面设置硬掩膜版，在背光面沉积导电膜层； S6、在第一掺杂区、第二掺杂区外表面分别形成金属电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人金阳(泉州)新能源科技有限公司，其通讯地址为：362000 福建省泉州市鲤城区海滨街道笋浯社区浯江路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。