合肥晶合集成电路股份有限公司杨迪获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764256B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510260244.1，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体器件及其制备方法是由杨迪;张晓亮设计研发完成，并于2025-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件及其制备方法，所述方法包括下列步骤：提供衬底，衬底的顶部形成有第一中间结构层，以及沿垂直第一中间结构层顶面的第一方向贯穿第一中间结构层的第一金属结构；在第一中间结构层的顶面上依次形成第一刻蚀停止层、第二刻蚀停止层、第二中间结构层和硬掩模层；执行一体化刻蚀工艺，形成贯穿第二中间结构层的开口，直至露出第二刻蚀停止层；分步执行干法刻蚀工艺，以分别去除第二刻蚀停止层、第一刻蚀停止层，干法刻蚀工艺还用于去除部分硬掩模层；在开口中形成第二金属结构，第二金属结构与第一金属结构互连；执行化学机械研磨，以完全去除硬掩模层。优化了半导体器件的制备过程，提高了半导体器件的性能和良率。
本发明授权半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括下列步骤： 提供衬底，所述衬底的顶部形成有第一中间结构层，以及沿垂直所述第一中间结构层顶面的第一方向贯穿所述第一中间结构层的第一金属结构； 在所述第一中间结构层的顶面上依次形成第一刻蚀停止层、第二刻蚀停止层、第二中间结构层和硬掩模层； 执行一体化刻蚀工艺，形成贯穿所述第二中间结构层的开口，直至露出所述第二刻蚀停止层； 分步执行干法刻蚀工艺，以分别去除所述第二刻蚀停止层、所述第一刻蚀停止层，所述干法刻蚀工艺还用于去除部分所述硬掩模层，以减薄所述硬掩模层的厚度并保留部分所述硬掩模层； 在所述开口中形成第二金属结构，所述第二金属结构与所述第一金属结构互连； 执行化学机械研磨，以完全去除所述硬掩模层。
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