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龙图腾网获悉深圳市美浦森半导体有限公司申请的专利基于电子辐照的快速恢复二极管性能测试方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119738686B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510252363.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权基于电子辐照的快速恢复二极管性能测试方法及系统是由何昌;张光亚;李俊峰设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于电子辐照的快速恢复二极管性能测试方法及系统在说明书摘要公布了：本发明涉及二极管性能测试技术领域，一种基于电子辐照的快速恢复二极管性能测试方法及系统，包括：设置偏置条件区间，获取快速恢复二极管集，获取多个实验组，依次从多个实验组中提取实验组，并对所提取的实验组执行如下操作：初始化测试电路，得到初始化电路，对初始化电路中的快速恢复二极管进行辐照并对初始化电路进行辐照监测，得到温度数据、电压数据及漏电流数据，预测快速恢复二极管的使用寿命，获取漏电流增加比例及漏电流曲线，获取可视化温度图像，获取电压曲线，获取性能实测报告，基于性能实测报告完成基于电子辐照的快速恢复二极管性能测试。本发明可提高快速恢复二极管在辐射环境下的可靠性和稳定性。

本发明授权基于电子辐照的快速恢复二极管性能测试方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种基于电子辐照的快速恢复二极管性能测试方法，其特征在于，所述方法包括： 接收二极管性能测试指令，根据二极管性能测试指令设置偏置条件区间，其中，偏置条件区间包括：环境温度区间及工作电压区间； 获取快速恢复二极管集，基于偏置条件区间及快速恢复二极管集获取多个实验组，其中，快速恢复二极管集包括相同的多个快速恢复二极管； 依次从多个实验组中提取实验组，并对所提取的实验组执行如下操作： 提取实验组对应的快速恢复二极管，根据所提取的快速恢复二极管搭建测试电路，并初始化测试电路，得到初始化电路； 利用预设的辐照参数设置预构建的电子辐射设备，得到预调电子辐射设备，其中，辐照参数包括：辐照粒子类型及辐照剂量梯度； 利用预调电子辐射设备对初始化电路中的快速恢复二极管进行辐照，并对初始化电路进行辐照监测，得到温度数据、辐照剂量、电压数据及漏电流数据； 若确认出辐照剂量等于预设的辐照粒子数值，且快速恢复二极管未损坏或未烧毁，则预测快速恢复二极管的使用寿命； 其中，所述预测使用寿命公式如下所示： ； 其中，表示使用寿命，表示未经过辐照时快速恢复二极管的理论使用寿命，表示自然常数，表示辐照剂量梯度，表示辐照剂量梯度对使用寿命的影响系数，表示漏电流增加比例对使用寿命的影响系数，表示漏电流增加比例，表示反向恢复时间变化比例对寿命的影响系数，表示反向恢复时间变化比例，表示环境温度对使用寿命的影响系数，表示环境温度，表示预设的参考温度，表示工作电压对使用寿命的影响系数，表示工作电压，表示预设的初始电压； 漏电流增加比例的计算公式如下所示： ； 其中，表示漏电流数据，表示在历史检测时间段内获取到的所有漏电流数据的平均值，表示未辐照漏电流； 反向恢复时间变化比例的计算公式如下所示： ； 其中，表示反向恢复时间，表示在历史检测时间段内获取到的所有反向恢复时间的平均值； 基于漏电流数据获取漏电流增加比例及漏电流曲线，基于温度数据获取可视化温度图像，基于所述电压数据获取电压曲线； 根据可视化温度图像、使用寿命、电压曲线及漏电流曲线对快速恢复二极管进行使用参数评估，得到单位评估报告； 汇总单位评估报告，得到多个实验组所对应的单位评估报告集，基于单位评估报告集获取性能实测报告； 基于性能实测报告完成基于电子辐照的快速恢复二极管性能测试。

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