深圳市晶存科技股份有限公司刘孜获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市晶存科技股份有限公司申请的专利闪存干扰测试方法、控制器和计算机可读存储介质获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119724305B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510222175.5,技术领域涉及:G11C29/08;该发明授权闪存干扰测试方法、控制器和计算机可读存储介质是由刘孜;谢登煌设计研发完成,并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪存干扰测试方法、控制器和计算机可读存储介质在说明书摘要公布了:本申请实施例提出一种闪存干扰测试方法、控制器和计算机可读存储介质,该闪存干扰测试方法模拟了移动设备应用场景、汽车电子应用场景或者工业设备应用场景等不同的目标应用场景,并且还采用了预设干扰曲线对待测闪存进行干扰操作,在干扰测试中实现了干扰幅度参数随时间而变化,因此,本申请实施例能够设置不同的应用场景和变化的干扰程度对闪存产品进行干扰测试,使干扰测试更加贴合复杂的实际使用环境;其次,本申请实施例还会将待测闪存的读写性能参数曲线和合格样本闪存的标准性能参数曲线来比较,从而确定待测闪存在目标应用场景和预设干扰曲线下的抗读写干扰能力,使得该抗读写干扰能力更加准确。
本发明授权闪存干扰测试方法、控制器和计算机可读存储介质在权利要求书中公布了:1.一种闪存干扰测试方法,其特征在于,包括: 获取预设干扰曲线,根据所述预设干扰曲线对待测闪存进行干扰操作,其中,所述预设干扰曲线为干扰幅度参数和时间参数之间的变化曲线; 在目标应用场景且在对所述待测闪存进行干扰操作的过程中,对所述待测闪存的每个存储页依次进行读写操作,其中,所述目标应用场景包括移动设备应用场景、汽车电子应用场景或者工业设备应用场景; 获取所述待测闪存在读写操作下的读写性能参数,并根据所述读写性能参数生成读写性能参数曲线,其中,所述读写性能参数曲线为读写性能参数和时间参数之间的变化曲线; 确定合格样本闪存在所述目标应用场景和所述预设干扰曲线下的标准性能参数曲线; 比较所述读写性能参数曲线和所述标准性能参数曲线,根据比较结果确定所述待测闪存在所述目标应用场景和所述预设干扰曲线下的抗读写干扰能力; 其中,所述根据比较结果确定所述待测闪存在所述目标应用场景和所述预设干扰曲线下的抗读写干扰能力,包括: 在所述读写性能参数曲线位于所述标准性能参数曲线上方的情况下,获取所述读写性能参数曲线和所述标准性能参数曲线在读写操作全过程中的曲线交叉次数; 根据曲线交叉次数确定所述待测闪存在所述目标应用场景和所述预设干扰曲线下的抗读写干扰能力; 另外,在所述确定所述待测闪存的抗读写干扰能力符合要求之后,所述方法还包括: 确定所述预设干扰曲线中的至少一个上升曲线段所对应的目标时间区间; 计算所述预设干扰曲线在所述目标时间区间的上升斜率; 计算所述读写性能参数曲线在所述目标时间区间的下降斜率; 计算所述下降斜率的绝对值和所述上升斜率的斜率差值; 根据所述斜率差值确定所述待测闪存的抗干扰等级,其中,所述抗干扰等级与所述斜率差值之间为负相关关系。
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