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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体器件及其刻蚀方法和制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119673770B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510175060.5，技术领域涉及：H01L21/3213；该发明授权一种半导体器件及其刻蚀方法和制备方法是由方小婷;高志杰;姚怡雯;孙言明设计研发完成，并于2025-02-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其刻蚀方法和制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及其刻蚀方法和制备方法，采用第一刻蚀工艺对伪栅极进行刻蚀，以去除第一厚度的伪栅极，并保留第二厚度的伪栅极，第一厚度大于第二厚度，采用第二刻蚀工艺对第二厚度的伪栅极进行刻蚀，以去除第二厚度的伪栅极，第二刻蚀工艺包括气化工艺，气化工艺用于使第二厚度的伪栅极转化为气态物质并逸出，因为第二刻蚀工艺如气化工艺对阻挡层的腐蚀性小于第一刻蚀工艺如干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺对阻挡层的腐蚀性，所以，可以减小伪栅极的刻蚀对阻挡层的损伤，进而可以使得阻挡层的金属阻挡能力不会明显下降，进而可以减小金属栅极中的金属扩散到高介电常数的栅介质层的几率，进而可以保证半导体器件的可靠性。

本发明授权一种半导体器件及其刻蚀方法和制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的刻蚀方法，其特征在于，包括： 提供待刻蚀的半导体器件，所述半导体器件包括衬底、位于所述衬底上的伪栅结构和层间介质层，所述伪栅结构包括在所述衬底上依次层叠的高介电常数的栅介质层、阻挡层和伪栅极，所述伪栅结构两侧的衬底都具有掺杂区，所述层间介质层填充在所述伪栅结构之间并暴露出所述伪栅极； 采用第一刻蚀工艺对所述伪栅极进行刻蚀，以去除第一厚度的伪栅极，并保留第二厚度的伪栅极；所述第一厚度大于所述第二厚度； 采用第二刻蚀工艺对所述伪栅极进行刻蚀，以去除所述第二厚度的伪栅极；所述第二刻蚀工艺对所述阻挡层的腐蚀性小于所述第一刻蚀工艺对所述阻挡层的腐蚀性； 其中，所述伪栅极的材料为多晶硅；所述采用第二刻蚀工艺对所述伪栅极进行刻蚀包括：采用第一子工艺使所述第二厚度的伪栅极的部分多晶硅转化为二氧化硅；采用第二子工艺使所述二氧化硅与所述第二厚度的伪栅极的剩余部分多晶硅反应生成一氧化硅，并使所述一氧化硅以气态形式逸出。

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