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龙图腾网获悉深圳市芯海微电子有限公司申请的专利一种嵌入式存储芯片的加固封装工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119626919B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510147278.X，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权一种嵌入式存储芯片的加固封装工艺是由李君林;李广;陈路路;龙兵轩设计研发完成，并于2025-02-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种嵌入式存储芯片的加固封装工艺在说明书摘要公布了：本发明公开了一种嵌入式存储芯片的加固封装工艺，涉及芯片封装领域。一种嵌入式存储芯片的加固封装工艺，包括如下步骤：S1：芯片预处理；S2：应用保护涂层；S3：封装层处理；S4：封装测试，所述S1中芯片预处理还包括如下方法：采用等离子体清洗、采用紫外线照射、化学清洗，所述S2中应用保护涂层还包括如下方法：在芯片表面预处理完成后，均匀涂覆一层保护性材料，形成初步的防护涂层，防护涂层的厚度控制在100‑300nm；本发明对芯片进行表面钝化处理，采用等离子体增强化学气相沉积技术在芯片表面沉积一层氮化硅钝化层，以增强芯片表面的硬度和抗腐蚀性，同时减少芯片表面的电荷积累，防止静电放电对芯片造成损伤。

本发明授权一种嵌入式存储芯片的加固封装工艺在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式存储芯片的加固封装工艺，其特征在于，还包括如下步骤： S1：芯片预处理包括：依次进行的等离子清洗、紫外线照射和化学清洗，包括分别在异丙醇和丙酮清洗液中进行超声波清洗； S2：应用保护涂层包括：在芯片表面预处理完成后，均匀涂覆一层保护性材料，形成初步的防护涂层；所述保护性材料为氮化硅钝化层，采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积，厚度为100-200nm； S3：封装层处理，其中封装材料包含纳米改性环氧树脂，其中纳米SiO2占比5-10wt%，纳米Al2O3占比3-8wt%；还包括如下步骤： S301：封装材料准备：选择封装材料，并准备用于芯片互连的金属丝； S302：芯片互联与底部填充：将芯片贴装在封装基板上，通过热压键合技术实现芯片与基板的互联，将金属丝的一端键合到芯片引脚上，另一端键合到基板焊盘上，然后通过真空辅助灌装将底部填充材料注入芯片与基板之间的间隙，然后固化底部填充材料； S303：封装层的堆叠； S304：封装固化，还包括如下步骤：S3041：封装层固化；S3042：封装外壳成型固化；S3043：固化完成后需要进行密封与防护处理； S4：封装测试。

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