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龙图腾网获悉苏州拉索生物芯片科技有限公司申请的专利一种存在形变的基因芯片的曲面拟合成像方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119579826B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510138589.X，技术领域涉及：G06T17/20；该发明授权一种存在形变的基因芯片的曲面拟合成像方法及系统是由刘超钧;蔡勇勇;许心意设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存在形变的基因芯片的曲面拟合成像方法及系统在说明书摘要公布了：本发明提供一种存在形变的基因芯片的曲面拟合成像方法及系统。曲面拟合成像方法包括：采集存在形变的基因芯片四个角上的十字标识并置于坐标系中，计算出十字标识在坐标系中的位置，根据其坐标等间隔生成均匀分布在基因芯片投影面上的预采样点，并获取所有预采样点对应的X轴和Y轴坐标位置；对基因芯片表面任一待评估点及其邻域范围内的若干预采样点，采用高斯曲率来估算待评估点处的局部曲率；根据采样点及其X轴、Y轴和Z轴坐标位置，采用径向基函数进行曲面拟合得到拟合后的曲面方程，后续向该曲面方程中输入任何一个点的X轴坐标和Y轴坐标就能算出对应的Z轴坐标。采用上述技术方案后，能够对存在形变的基因芯片进行快速曲面拟合成像。

本发明授权一种存在形变的基因芯片的曲面拟合成像方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种存在形变的基因芯片的曲面拟合成像方法，其特征在于，包括： 步骤S1：采集存在形变的基因芯片四个角上的十字标识并置于坐标系中，计算出十字标识在坐标系中的位置，根据其坐标等间隔生成均匀分布在基因芯片投影面上的预采样点，并获取所有预采样点对应的X轴和Y轴坐标位置； 步骤S2：对基因芯片表面任一待评估点及其邻域范围内的若干预采样点，采用高斯曲率来估算待评估点处的局部曲率，该曲率决定了后续采样点的密度和方向； 步骤S3：根据采样得到的若干非均匀离散分布的采样点及其X轴、Y轴和Z轴坐标位置，采用径向基函数进行曲面拟合得到拟合后的曲面方程后续向该曲面方程中输入任何一个点的X轴坐标和Y轴坐标就能算出对应的Z轴坐标； 所述步骤S2包括： 步骤S2.1:以当前待评估点为中心及其邻域范围内距当前待评估点距离最远的四个预采样点构建Delaunay三角网格； 步骤S2.2:对于每一个待评估点，计算该待评估点处的高斯曲率Kv，计算公式为： Kv＝2π-∑θi； 其中，∑θi为待评估点周围的所有三角形内角之和； 步骤S2.3:分别计算当前待评估点和其邻域范围内距待评估点距离最远的四个预采样点在各自连线方向上Z坐标轴值的变化率，比较四个预采样点在Z坐标轴方向上的变化率，最大的即为下一个采样点的采样方向； 步骤S2.4:根据高斯曲率Kv与阈值的关系调整下一次的采样步长； 在步骤S2.4中， 1如果Kv＞Thigh， tn+1＝maxtn×klow，tmin； 2如果Kv＜Tlow， tn+1＝mintn×khigh，tmax； 3如果Tlow＜Kv＜Thigh， tn+1＝tn； 其中，初始采样步长为t0，当前步长为tn，根据高斯曲率与阈值的关系调整下一次的采样步长tn+1，Thigh为高曲率阈值，Tlow为低曲率阈值，klow为高曲率阈值对应的步长调整系数，khigh为低曲率阈值对应的步长调整系数，tmin和tmax分别为采样允许的最小步长和最大步长。

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