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龙图腾网获悉南京大学申请的专利用于大尺寸大功率人工智能芯片的封装散热结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119560468B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510113094.1，技术领域涉及：H01L23/473；该发明授权用于大尺寸大功率人工智能芯片的封装散热结构是由李丽;周鸣昊;何国强;邹幸洁;罗又宾;傅玉祥;何书专;李伟设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于大尺寸大功率人工智能芯片的封装散热结构在说明书摘要公布了：本发明公开了用于大尺寸大功率人工智能芯片的封装散热结构，属于芯片散热技术领域，芯片的封装散热结构包括：基板；完成晶圆级封装多芯片结构，位于基板的一侧，完成晶圆级封装多芯片结构包括若干芯片和围堰，芯片包括相对设置的功能面和背面，围堰环绕设置于芯片的外围，围堰靠近芯片背面一侧的表面与芯片的背面平齐；金属散热盖，盖设于基板的一侧，并与基板围成用于容置完成晶圆级封装多芯片结构的容置腔，金属散热盖与位于最外围的围堰通过粘贴胶固定连接；若干芯片、相邻芯片间的围堰、金属散热盖与粘贴胶共同围成液态金属散热通道，液态金属散热通道内填充有液态金属且末端封闭，本发明提供的封装散热结构具有较高的散热能力。

本发明授权用于大尺寸大功率人工智能芯片的封装散热结构在权利要求书中公布了：1.用于大尺寸大功率人工智能芯片的封装散热结构，其特征在于，所述芯片的封装散热结构包括： 基板； 完成晶圆级封装多芯片结构，位于所述基板的一侧，所述完成晶圆级封装多芯片结构包括若干芯片和围堰，所述芯片包括相对设置的功能面和背面，所述围堰环绕设置于所述芯片的外围，所述围堰靠近所述芯片背面一侧的表面与所述芯片的背面平齐； 金属散热盖，盖设于所述基板的一侧，并与所述基板围成用于容置所述完成晶圆级封装多芯片结构的容置腔，所述金属散热盖与位于最外围的所述围堰通过粘贴胶固定连接； 所述若干芯片、相邻所述芯片间的围堰、所述金属散热盖与所述粘贴胶共同围成液态金属散热通道，所述液态金属散热通道的两端向远离所述芯片的方向延伸并贯穿所述金属散热盖，所述液态金属散热通道内填充有液态金属且末端封闭，所述液态金属散热通道包括与所述芯片背面直接接触的第一通道和沿垂直于所述芯片表面方向上延伸并贯穿所述金属散热盖的第二通道，所述第一通道沿垂直于芯片表面方向的厚度与所述粘贴胶的厚度相同，所述金属散热盖的内部还具有液冷通道，所述液冷通道靠近所述芯片的背面设置，且位于所述液态金属散热通道围成的空间内。

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