天津大学杨春鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种低载流子氧卤化物固态电解质材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812450B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510016230.5，技术领域涉及：H01M10/0562；该发明授权一种低载流子氧卤化物固态电解质材料及其制备方法是由杨春鹏;李德元;罗菲菲设计研发完成，并于2025-01-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低载流子氧卤化物固态电解质材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种低载流子氧卤化物固态电解质材料及其制备方法；本发明提供的低载流子氧卤化物固态电解质材料具有通式：AaMbOBc；其中，0.3＜a＜0.7，0.35＜b＜1.1，1＜c＜4；所述材料的原料包括作为宿主结构的过渡金属氧化物Mz1Oz2，作为填料的碱金属卤化物Ax1Bx2和过渡金属卤化物My1By2；所述材料AaMbOBc和宿主结构Mz1Oz2具有相同的晶体结构；晶体结构的一致性有助于使用较少的载流子即可高效传输，达到提高离子电导率的目的。
本发明授权一种低载流子氧卤化物固态电解质材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低载流子氧卤化物固态电解质材料；所述材料具有通式：AaMbOBc；0.3＜a＜0.7，0.35＜b＜1.1，1＜c＜4； 所述材料的原料包括作为宿主结构的过渡金属氧化物Mz1Oz2，作为填料的碱金属卤化物Ax1Bx2和过渡金属卤化物My1By2；所述材料AaMbOBc和宿主结构Mz1Oz2具有相同的晶体结构； 其中，碱金属A包括锂（Li）、钠（Na）、钾（K）中的一种或多种；M包括正四价及以上的过渡金属元素；卤素原子B包括氟（F）、氯（Cl）、溴（Br）、碘（I）中的一种或多种；正四价及以上的过渡金属元素包括钛（Ti）、钒（V）、铬（Cr）、锰（Mn）、铌（Nb）、钼（Mo）、钌（Ru）、铑（Rh）、钯（Pd）、铪（Hf）、锆（Zr）、钴（Co）、镍（Ni）、钽（Ta）、钨（W）、铼（Re）、钒（V）、铌（Nb）、锡（Sn）、中的一种或多种； 所述材料中A原子的质量百分比选自1-3%，其中，所述质量百分比是指A原子的总质量占材料AaMbOBc总质量的比例。
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