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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种可调控普适性MOSFET栅极驱动电路及驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119727690B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411791409.X，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种可调控普适性MOSFET栅极驱动电路及驱动方法是由徐殿国;支帅青设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可调控普适性MOSFET栅极驱动电路及驱动方法在说明书摘要公布了：一种可调控普适性MOSFET栅极驱动电路及驱动方法，涉及电力电子领域。其包括逻辑控制模块、参数调节模块、开通模块、关断模块、外部参数模块、外部栅极电阻，利用功率MOSFET跨导电容变化特性，通过其各个模块在开通和关断过程进行栅源电压波形斜率控制，分别实现开通过程漏源电流和漏源电压精细调控、关断过程漏源电流和漏源电压单独精细调控，使该架构实现对功率MOSFET开通过程的电磁干扰和开通损耗精细调控、关断过程的电压过冲和关断损耗精细调控；解决了当前功率MOSFET的驱动电路难以满足开通过程中低电磁干扰和低开通损耗、关断过程中低电压过冲和低关断损耗的目标，同时难以满足现代电力电子装置高功率密度需求的问题。

本发明授权一种可调控普适性MOSFET栅极驱动电路及驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种可调控普适性MOSFET栅极驱动电路，用于驱动待控功率MOSFET（08），其特征在于， 该驱动电路包括电源模块（01）、逻辑控制模块（02）、参数调节模块（03）、开通模块（04）、关断模块（05）、外部参数模块（06）、外部栅极电阻（07）、输入端Vin、输入电压VDD、输入端Vp1、输入端Vp2、输入端Vp3和输出端Vout； 所述电源模块（01）用于为逻辑控制模块（02）和参数调节模块（03）提供电源； 所述逻辑控制模块（02）用于向参数调节模块（03）输送参数调节指令、向开通模块（04）输送开通指令、向关断模块（05）输送关断指令； 所述参数调节模块（03）用于通过输入端Vp1、输入端Vp2、输入端Vp3接收所述外部参数模块（06）的外部参数电压电流状态信息，调控开通模块（04）和关断模块（05）的工作状态； 所述开通模块（04）用于通过外部栅极电阻（07）控制待控功率MOSFET（08）的开通； 所述关断模块（05）用于通过外部栅极电阻（07）控制待控功率MOSFET（08）的关断； 所述外部参数模块（06）用于向所述参数调节模块（03）输送外部参数电压电流状态信息； 所述外部栅极电阻（07）用于连接待控功率MOSFET（08）与开通模块（04）、关断模块（05），消除待控功率MOSFET（08）开通过程和关断过程中产生的栅极电压震荡； 所述输入端Vin用于作为所述逻辑控制模块（02）的输入端，向所述逻辑控制模块（02）输入开关PWM信号； 所述输入电压VDD用于为所述电源模块（01）和所述开通模块（04）供电，且外部供电电压通过其供给；所述输出端Vout为所述外部栅极电阻（07）与所述开通模块（04）和所述关断模块（05）的连接端； 所述外部参数模块（06）根据待控功率MOSFET（08）的寄生参数对外部参数模块（06）内部第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一电容C1、第二电容C2的电阻和电容值进行配置，使所述参数调节模块（03）、开通模块（04）、关断模块（05）的工作特性匹配待控功率MOSFET（08）的寄生参数； 所述外部参数模块（06），包含第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第一电容C1和第二电容C2； 所述输入端Vp1、第二电阻R2、第一电容C1和地依次串联； 所述输入端Vp2、第三电阻R3、第四电阻R4和地依次串联； 所述输入端Vp2、第三电阻R3、第二电容C2和地依次串联； 所述输入端Vp3、第五电阻R5和地依次串联。

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