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龙图腾网获悉苏州欣威晟电子科技有限公司申请的专利一种化学气相沉积CVD反应腔及CVD设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119800327B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411750621.1，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权一种化学气相沉积CVD反应腔及CVD设备是由何威威;李波设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种化学气相沉积CVD反应腔及CVD设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体加工技术领域，尤其涉及一种化学气相沉积CVD设备，包括：处理罐和固定连接在处理罐上端的充气管，所述加热层安装在处理罐内部，所述加热层上端设置有多个喷气组件，多个所述喷气组件与上端的充气管连通，用于导出反应气体；所述反应空间内部设置有多个放置组件，所述放置组件包括多个放置板、多个侧架和两个滑动块，多个所述放置板水平平行固定连接在多个侧架之间，所述放置板上环状开设有多个放置槽，两个所述滑动块对称固定连接在最下方的放置板底面，且滑动设置在滑动槽内部。本发明将反应气体均匀的分布在不同层的半导体上，避免了反应气体分布的不均匀，提高了在半导体上的镀膜效果。

本发明授权一种化学气相沉积CVD反应腔及CVD设备在权利要求书中公布了：1.一种化学气相沉积CVD设备，包括：加热层（1）、处理罐（2）和固定连接在处理罐（2）上端的充气管，其特征在于，所述加热层（1）内部设置有矩形的反应空间，所述反应空间内壁两侧对称设置有多个导管，多个所述导管分别用于导入气态前驱物和导出废气； 所述反应空间底面对称开设有两个滑动槽（10），两个所述滑动槽（10）中部开设有限位槽，所述限位槽的深度大于滑动槽（10）深度； 所述加热层（1）安装在处理罐（2）内部，所述加热层（1）上端设置有多个喷气组件（3），多个所述喷气组件（3）与上端的充气管连通，用于导出反应气体； 所述反应空间内部设置有多个放置组件（4），所述放置组件（4）包括多个放置板（41）、多个侧架（42）和两个滑动块（43），多个所述放置板（41）水平平行固定连接在多个侧架（42）之间，所述放置板（41）上环状开设有多个放置槽，两个所述滑动块（43）对称固定连接在最下方的放置板（41）底面，且滑动设置在滑动槽（10）内部； 所述放置板（41）中部开设有安装口，多个所述放置板（41）的安装口内部均设置有导气组件（5），所述导气组件（5）包括安装管（51）、导气管（52）和喷气端头（53），所述安装管（51）固定安装在安装口内部，所述导气管（52）通过弹性件（6）弹性安装在安装管（51）内部，所述喷气端头（53）固定连接在导气管（52）的底端； 所述安装管（51）内部设置有滑动空间，且滑动空间内部设置有限位环（13），多个所述安装管（51）内部的限位环（13）位置不同，越是上方的限位环（13）的位置越靠近安装管（51）底端； 所述弹性件（6）设置在滑动空间内部，且位于限位环（13）上方，所述弹性件（6）包括固定环（61）、底环（62）和弹簧管（63），所述固定环（61）固定套设在导气管（52）上，所述底环（62）和弹簧管（63）套设在导气管（52）上，所述弹簧管（63）两端固定连接在固定环（61）和底环（62）上； 所述放置板（41）内部设置有联动组件（7），联动组件（7）包括多个转动齿盘（71）、驱动齿盘（72）和卡件（73），多个所述转动齿盘（71）分别转动安装在多个放置槽内部，所述驱动齿盘（72）转动安装在安装管（51）内部，且驱动齿盘（72）中部开设有驱动口，所述驱动齿盘（72）与多个转动齿盘（71）啮合连接，用于驱动转动齿盘（71）转动，所述卡件（73）固定连接在导气管（52）上，所述卡件（73）和驱动口均为多边形，且卡件（73）用于带动驱动齿盘（72）转动； 所述喷气组件（3）的导气端下移，带动导气管（52）下移，从而将多个导气组件（5）中的导气管（52）挤压连通。

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