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龙图腾网获悉北京智芯微电子科技有限公司申请的专利沟道退化监测电路、芯片退化监测电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119689203B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411656909.2，技术领域涉及：G01R31/28；该发明授权沟道退化监测电路、芯片退化监测电路及芯片是由陈燕宁;刘芳;赵东艳;解尧明;邵亚利;李东镁;梁英宗;付振;赵扬设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本沟道退化监测电路、芯片退化监测电路及芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及集成电路及芯片技术领域，提供一种沟道退化监测电路、芯片退化监测电路及芯片。沟道退化监测电路包括退化反相器，退化反相器包括第一高压晶体管、第一电阻、第二电阻及第三电阻，第一高压晶体管的栅极通过第一电阻连接退化反相器的输入端，并通过第二电阻接地，第一高压晶体管的漏极通过第三电阻连接芯片的电源端，第一高压晶体管的漏极与第三电阻之间的节点作为退化反相器的输出端。本发明针对高压器件的沟道退化、栅氧退化和衬底退化分别设计相应的监测电路并进行集成，能够支持高压器件及电路的退化监测和预警，可以内嵌到电源与隔离驱动芯片中，克服了现有监测电路仅适用于监测低压SOC芯片、无法监测高压电路及芯片的缺陷。

本发明授权沟道退化监测电路、芯片退化监测电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种沟道退化监测电路，其特征在于，包括：退化环形振荡器、非退化环形振荡器以及频率衰减检测电路； 退化环形振荡器包括奇数个串行连接的退化反相器； 退化反相器包括：第一高压晶体管、第一电阻、第二电阻及第三电阻，第一高压晶体管的栅极通过第一电阻连接该退化反相器的输入端，并通过第二电阻接地，第一高压晶体管的源极接地，第一高压晶体管的漏极通过第三电阻连接芯片的电源端，第一高压晶体管的漏极与第三电阻之间的节点作为该退化反相器的输出端； 非退化环形振荡器包括奇数个串行连接的非退化反相器； 非退化反相器包括：第二高压晶体管、第三高压晶体管、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻及第八电阻，第二高压晶体管的栅极通过第八电阻连接该非退化反相器的输入端，并通过第四电阻接地，第二高压晶体管的源极接地，第二高压晶体管的漏极与第三高压晶体管的源极相连，第三高压晶体管的栅极通过第五电阻连接芯片的电源端，并通过第六电阻接地，第三高压晶体管的漏极通过第七电阻连接芯片的电源端，第三高压晶体管的漏极与第七电阻之间的节点作为非退化反相器的输出端； 频率衰减检测电路用于检测退化环形振荡器随时间的频率衰减量，在退化后的环形振荡器相对应的周期中，对非退化环形振荡器的周期个数进行计数，实现对退化反相器的第一高压晶体管的沟道退化的监测。

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