华中科技大学童浩获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种阈值选通器件设计方法、阈值选通器件及动态存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384215B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411596829.2，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权一种阈值选通器件设计方法、阈值选通器件及动态存储器是由童浩;汪宾浩;缪向水设计研发完成，并于2024-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阈值选通器件设计方法、阈值选通器件及动态存储器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种阈值选通器件设计方法、阈值选通器件及动态存储器，涉及存储器技术领域，方法包括：测试阈值选通功能层的保持电压、低阻态电阻和阈值电压；根据阈值电压确定阈值选通器件的目标保持电压；根据阈值选通功能层的保持电压、低阻态电阻和阈值选通器件的目标保持电压确定阈值选通器件的上电极和下电极的电阻之和；根据阈值选通器件的上电极和下电极的电阻之和选取上电极和下电极的材料和薄膜参数以设计满足所述目标保持电压的阈值选通器件。本发明可以通过改变上下电极的电阻之和来调节阈值选通器件的目标保持电压，设计出满足不同保持电压的阈值选通器件。
本发明授权一种阈值选通器件设计方法、阈值选通器件及动态存储器在权利要求书中公布了：1.一种阈值选通器件设计方法，其特征在于，包括： 测试阈值选通功能层的保持电压、低阻态电阻和阈值电压； 根据所述阈值电压确定阈值选通器件的目标保持电压； 根据所述阈值选通功能层的保持电压、低阻态电阻和所述阈值选通器件的目标保持电压确定所述阈值选通器件的上电极和下电极的电阻之和； 根据所述阈值选通器件的上电极和下电极的电阻之和选取上电极和下电极的材料和薄膜参数以设计满足所述目标保持电压的阈值选通器件； 其中，所述阈值选通器件的目标保持电压小于等于阈值选通功能层的阈值电压； 其中，确定所述阈值选通器件的上电极和下电极的电阻之和的表达式为： R＝VHold-Vhold*R_lowVhold； 式中，R为上电极和下电极的电阻之和；VHold为阈值选通器件的目标保持电压；Vhold为阈值选通功能层的保持电压；R_low为阈值选通功能层的低阻态电阻。
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