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龙图腾网获悉江苏永鼎股份有限公司申请的专利一种晶圆刻蚀环境的超净控制方法及控制系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119208211B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411493360.X，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权一种晶圆刻蚀环境的超净控制方法及控制系统是由莫思铭;周莉;王俊斐;杨陈浩设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆刻蚀环境的超净控制方法及控制系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种晶圆刻蚀环境的超净控制方法及控制系统，涉及半导体器件技术领域，包括：获取超净空间的层流分布，构建层流分布图，并拟合流线轨迹；获取晶圆刻蚀的工艺空间分布，进行坐标映射，建立晶圆刻蚀工艺与层流分布的映射关系；读取晶圆刻蚀的工艺排污要求、气流控制参数，进行流线拟合，确定匹配流线数据；确定气流偏差值，进行气流控制参数解析，获得调整控制参数，用以对气流控制参数进行调整，以满足所述工艺排污要求的流线数据要求。本发明解决了现有技术的气流控制多为静态设置，无法根据实时的工艺需求和环境变化动态调整气流，并且无法满足不同区域对气流的个性化要求，使得气流控制的准确性较差的技术问题。

本发明授权一种晶圆刻蚀环境的超净控制方法及控制系统在权利要求书中公布了：1.一种晶圆刻蚀环境的超净控制方法，其特征在于，所述方法包括： 连接控制模块获取超净空间的层流分布，构建层流分布图，并拟合流线轨迹至所述层流分布图中，其中流线用以描述气流速度、方向及分布，气流速度越快则流线越密集、流线分布的边界宽度表示气流分布、箭头表示气流方向； 获取晶圆刻蚀的工艺空间分布，按照工艺空间分布的位置坐标与所述层流分布图进行坐标映射，建立晶圆刻蚀工艺与层流分布的映射关系； 通过所述控制模块读取晶圆刻蚀的工艺排污要求、气流控制参数，利用所述气流控制参数进行所述层流分布图中各层流的流线拟合，根据所述映射关系确定晶圆刻蚀工艺区域的匹配流线数据； 利用所述匹配流线数据与所述工艺排污要求进行匹配，确定气流偏差值，根据所述气流偏差值进行所述气流控制参数解析，获得调整控制参数，所述调整控制参数用以对气流控制参数进行调整，以满足所述工艺排污要求的流线数据要求； 所述按照工艺空间分布的位置坐标与所述层流分布图进行坐标映射，建立晶圆刻蚀工艺与层流分布的映射关系，包括： 获取层流分布图的三维坐标； 根据晶圆刻蚀的工艺区域确定区域多个点，建立映射点，所述映射点具有空间位置坐标； 利用所述映射点的空间位置坐标投射至所述层流分布图的三维坐标中，确定匹配流层通路，建立所述匹配流层通路与所述工艺区域的映射关系。

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