华南理工大学谢从珍获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种基于静电力和压阻效应耦合的微型电场传感器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119246976B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411397818.1，技术领域涉及：G01R29/12；该发明授权一种基于静电力和压阻效应耦合的微型电场传感器件是由谢从珍;林柏森;王纪港;余松;黄奕琅;黄梦成设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于静电力和压阻效应耦合的微型电场传感器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于静电力和压阻效应耦合的微型电场传感器件，其特征在于，包括水平放置可垂直自由振动的半导体薄膜，半导体薄膜的第一表面上设有金属薄膜；半导体薄膜的第二表面通过埋氧层连接半岛端十字梁和弧瓣状岛屿结合的凸台结构以及衬底层；半导体薄膜的四周与器件层的固定部分连接；器件层上设有金属电极区和四个弧形短梁，金属薄膜通过弧形短梁连接至金属电极区；弧形短梁镶嵌有多个离子注入区域，离子注入区域之间设有沟槽结构；离子注入区域通过金属电极区形成惠斯通电桥结构。本发明的微型电场传感器件在满足小体积、低成本和低功耗的同时，具备高灵敏度、高分辨率、宽线性范围和高结构稳定性等特点，可广泛应用于电场传感领域。
本发明授权一种基于静电力和压阻效应耦合的微型电场传感器件在权利要求书中公布了：1.一种基于静电力和压阻效应耦合的微型电场传感器件，其特征在于，包括水平放置可垂直自由振动的半导体薄膜，所述半导体薄膜的第一表面上设有金属薄膜；所述半导体薄膜的第二表面通过埋氧层连接半岛端十字梁和弧瓣状岛屿结合的凸台结构以及衬底层； 所述半导体薄膜的四周与器件层的固定部分连接； 所述器件层上设有金属电极区和四个弧形短梁，所述金属薄膜通过所述弧形短梁连接至金属电极区；所述弧形短梁镶嵌有多个离子注入区域，所述离子注入区域之间设有沟槽结构；所述离子注入区域通过金属电极区形成惠斯通电桥结构； 所述半导体薄膜边缘和凸台结构之间设有孔洞结构； 所述半导体薄膜为弧瓣状的半导体薄膜，包括四个外弧状瓣膜； 所述金属薄膜的形状与所述半导体薄膜的形状匹配。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人华南理工大学，其通讯地址为：510641 广东省广州市天河区五山路381号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由AI智能生成
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号