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龙图腾网获悉中科可控信息产业有限公司申请的专利管道的检测方法、装置、电子设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119064442B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411388101.0，技术领域涉及：G01N27/83；该发明授权管道的检测方法、装置、电子设备及存储介质是由李心智;王铭洋;王马俊设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本管道的检测方法、装置、电子设备及存储介质在说明书摘要公布了：本申请提供一种管道的检测方法、装置、电子设备及存储介质。方法包括：通过设置在管道壁的双通道传感器对当前磁场和当前温度进行检测，得到第一损耗峰光波长和第二损耗峰光波长；确定双通道传感器的磁场灵敏度以及温度灵敏度；根据第一损耗峰光波长、第二损耗峰光波长、磁场灵敏度、温度灵敏度、以及传递矩阵，确定当前磁场强度变化量以及当前温度变化量；根据当前磁场强度变化量以及当前温度变化量，确定管道的缺陷信息。以上方案，通过双通道传感器同时对磁场强度和温度两个参数进行检测，实现两个参数的解耦，避免两个参数之间的干扰，从而提升检测的准确性。

本发明授权管道的检测方法、装置、电子设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种管道的检测方法，其特征在于，包括： 通过设置在管道壁的双通道传感器对当前磁场和当前温度进行检测，得到第一损耗峰光波长和第二损耗峰光波长； 确定多个第一样本光波以及多个第二样本光波，所述多个第一样本光波分别对应多个第一磁场强度，所述多个第二样本光波分别对应多个第一温度；针对所述双通道传感器的任意一个通道，通过所述通道对所述多个第一样本光波分别进行检测，得到多个第一样本损耗峰，通过所述通道对所述多个第二样本光波分别进行检测，得到多个第二样本损耗峰；对所述多个第一样本损耗峰对应的多个损耗峰偏移值、以及所述多个第一磁场强度进行拟合处理，得到所述双通道传感器的磁场灵敏度；对所述多个第二样本损耗峰对应的多个损耗峰偏移值、以及所述多个第一温度进行拟合处理，得到所述双通道传感器的温度灵敏度； 根据所述第一损耗峰光波长、所述第二损耗峰光波长、所述磁场灵敏度、所述温度灵敏度、以及传递矩阵，确定当前磁场强度变化量以及当前温度变化量，所述传递矩阵用于根据损耗峰光波长的偏移值计算磁场强度变化量以及温度变化量； 确定预测模型，所述预测模型为对多个历史磁场强度变化量以及多个历史温度变化量进行训练得到；将所述当前磁场强度变化量以及所述当前温度变化量输入所述预测模型，得到管道的缺陷信息。

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