衢州顺络电路板有限公司孙明海获国家专利权
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龙图腾网获悉衢州顺络电路板有限公司申请的专利一种DDR4内存条线路板获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223142218U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422377872.1,技术领域涉及:H05K1/14;该实用新型一种DDR4内存条线路板是由孙明海;郑晓庆;巫灵进;徐建飞;蓝建明设计研发完成,并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种DDR4内存条线路板在说明书摘要公布了:本实用新型公开的一种DDR4内存条线路板包括六层结构,六层结构包括四层信号层以及两层电源和接地层,其中四层信号层包括L1层、L3层、L4层以及L6层,L1层、L3层、L4层以及L6层为信号走线层;两层电源和接地层包括L2层以及L5层,L2层以及L5层作为VDDVSS层。本实用新型DDR4内存条线路板,将传统八层结构改为六层结构,取消现有L7层和L8层以及相应芯板Core,降低制造成本和材料消耗,信号层从原来的五层减少到四层,在保证信号传输的稳定性和完整性的基础上减少层数的,相应减少芯板Core的使用数量,从而进一步降低生产成本。
本实用新型一种DDR4内存条线路板在权利要求书中公布了:1.一种DDR4内存条线路板,其特征在于: 所述DDR4内存条线路板包括六层结构,所述六层结构包括四层信号层以及两层电源和接地层,其中: 所述四层信号层包括L1层、L3层、L4层以及L6层,L1层、L3层、L4层以及L6层为信号走线层; 所述两层电源和接地层包括L2层以及L5层,L2层以及L5层为VDDVSS层; L1层、L3层、L4层以及L6层之间通过绝缘材料隔开,并通过过孔跨层连接。
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