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龙图腾网获悉泰州迈塔光电科技有限公司;广东工业大学申请的专利一种利用光学微结构放大手性分子识别信号的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118858248B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411354092.3，技术领域涉及：G01N21/64；该发明授权一种利用光学微结构放大手性分子识别信号的方法是由姜欢;莫慧琳;倪新军;蔡来生设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用光学微结构放大手性分子识别信号的方法在说明书摘要公布了：本发明提供的一种利用光学微结构放大手性分子识别信号的方法，包括：从待识别的手性分子的Z轴方向一侧，使用一束线偏振光进行照射；在待识别的手性分子的Z轴方向另一侧，依次设置光学微结构和荧光屏；所述光学微结构和荧光屏均垂直于Z轴设置；通过荧光屏的亮暗状态识别手性分子的构型类型。本发明采用光学微结构与荧光屏相结合的方法，利用光学微结构对圆偏振光的偏振选择性将微弱的手性分子识别信号放大，再通过观察荧光屏的亮暗状态识别手性分子信号。该方法具有操作简单，响应速度快，识别精度高和应用范围广的特点，具备极强的实用性。

本发明授权一种利用光学微结构放大手性分子识别信号的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用光学微结构放大手性分子识别信号的方法，其特征在于，包括： 从待识别的手性分子的Z轴方向一侧，使用一束线偏振光进行照射； 在待识别的手性分子的Z轴方向另一侧，依次设置光学微结构和荧光屏；所述光学微结构和荧光屏均垂直于Z轴设置； 通过荧光屏的亮暗状态识别手性分子的构型类型； 其中，所述光学微结构为具有偏振选择性的全介质手性超表面器件，用于对手性分子透射出的圆偏振光进行偏振选择，使得仅有被偏振选择的左旋圆偏振光或右旋圆偏振光的其中一种能够透射到全介质手性超表面器件另一侧的荧光屏上； 所述荧光屏为涂有荧光粉的屏幕，当有光照射到荧光屏上时，荧光屏亮起，用于检测全介质手性超表面器件的另一侧是否有光透射出来； 所述全介质手性超表面器件包括沿XOY平面周期性排列的若干个单元结构，每个单元结构分别包括沿Z轴由下往上层叠设置的二氧化硅基底层和硅谐振层，其中，硅谐振层位于靠近手性分子的一侧，二氧化硅基底层位于远离手性分子的一侧； 所述硅谐振层包括一体成型的第一矩形条、第二矩形条和第三矩形条，其中，第二矩形条沿Y轴方向延伸，第一矩形条和第三矩形条沿X轴方向延伸；所述第一矩形条、第二矩形条和第三矩形条依次首尾垂直相接，并且第一矩形条和第三矩形条分别位于第二矩形条X轴方向的相对两侧，使得硅谐振层在XOY平面上的投影形状呈Z形或镜面Z形； 当所述光学微结构为具有右旋圆偏振选择性的全介质手性超表面器件时，所述第二矩形条设置于二氧化硅基底层的上表面中心处，第二矩形条的Y轴正方向末端垂直连接于第一矩形条的X轴正方向末端，第二矩形条的Y轴负方向末端垂直连接于第三矩形条的X轴负方向末端；在进行手性分子识别时，若荧光屏亮则待识别的手性分子为右旋手性分子，若荧光屏暗则待识别的手性分子为左旋手性分子； 当所述光学微结构为具有左旋圆偏振选择性的全介质手性超表面器件时，所述第二矩形条设置于二氧化硅基底层的上表面中心处，第二矩形条的Y轴正方向末端垂直连接于第一矩形条的X轴负方向末端，第二矩形条的Y轴负方向末端垂直连接于第三矩形条的X轴正方向末端；在进行手性分子识别时，若荧光屏亮则待识别的手性分子为左旋手性分子，若荧光屏暗则待识别的手性分子为右旋手性分子； 所述第一矩形条和第三矩形条的长度均为112nm，宽度均为41nm；所述第二矩形条的长度和宽度均为41nm； 所述全介质手性超表面器件中，二氧化硅基底层的厚度为226nm，硅谐振层的厚度为262nm； 所述单元结构在X轴和Y轴上的排列周期均为430nm； 所述全介质手性超表面器件工作于460~470nm的可见光波段。

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