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龙图腾网获悉南华大学申请的专利一种偕胺肟改性的LDH-O@PA二维纳米片阵列电极材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119194486B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411351779.1，技术领域涉及：C25B11/04；该发明授权一种偕胺肟改性的LDH-O@PA二维纳米片阵列电极材料及其制备方法和应用是由崔俊雅;王鑫清;肖锡林;林东颖;潘奕良设计研发完成，并于2024-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种偕胺肟改性的LDH-O@PA二维纳米片阵列电极材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种偕胺肟改性的LDH‑O@PA二维纳米片阵列电极材料及其制备方法和应用，属于无机纳米材料合成技术领域，将基底在含有可溶硝酸盐与硫酸亚铁电解质溶液中，以饱和甘汞电极作为参比电极，Pt为对电极，采用恒电位法在表面经过清洁处理的导电基底上直接生长水滑石纳米片阵列，利用循环伏安法在此基础上进行活化改性，进一步在此基础上进行有机结合，最终合成一种有机‑无机有机杂化类电级材料。随后通过与偕胺肟化聚丙烯腈组装制备电极。本发明提供了一步电合成方法合成纳米片阵列的新方法，通过恒电位时间和电压大小的调控可以对目标化合物中的氧暴露程度进行调节，使产物具有较大的表面积和分散稳定性，对重金属离子具有良好的协同吸附效应。

本发明授权一种偕胺肟改性的LDH-O@PA二维纳米片阵列电极材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种偕胺肟改性的LDH-O@PA二维纳米片阵列电极材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、LDHs结构化电极的构筑：配制可溶金属硝酸盐和硫酸盐混合溶液作为电解质溶液，饱和甘汞电极作为参比电极，Pt为对电极，选用清洁过的导电基底进行恒电位沉积，在导电基底上直接生长LDHs纳米片阵列得到LDHs结构化电极，所述LDHs结构化电极在60℃下干燥6h后保存；可溶金属硝酸盐选自MgNO32、CoNO32、NiNO32、CaNO32、CuNO32、FeNO32、MnNO32、LiNO3中的任意一种；硫酸盐为FeSO4·7H2O，混合溶液中可溶金属硝酸盐与硫酸盐的摩尔比例为（2:1）-（1:2），可溶金属硝酸盐的浓度为0.1-1.5mgmL，硫酸盐的浓度为0.1-1.5mgmL； S2、LDH-O电极的构筑：采用循环伏安法，在KOH溶液中，采用循环伏安法将LDHs结构化电极进行电化学活化，得到LDH-O电极； S3、LDH-O@PA二维纳米片阵列电极材料构筑：将PAN与DMF按质量比1:30混合搅拌10-15h，将LDH-O电极泡入，在70℃下悬空干燥；用去离子水配制25mL含盐酸羟胺与Na2CO3的溶液，将干燥的LDH-O电极泡入，70℃下水浴90min，去离子水洗涤后于干燥箱内80℃风干得到LDH-O@PA二维纳米片阵列电极材料； 步骤S1中，导电基底的SCE电位为-2~-0.5V，所述恒电位沉积的时间为50-400s，所述恒电位沉积的温度为10-50℃； 步骤S2中，KOH溶液的浓度为0.1-2M，所述循环伏安法电位为1-4VvsSCE； 步骤S3中，LDH-O电极泡入时间为30-90min。

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