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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利保护铜导线互连工艺中通孔底部金属界面的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115662945B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211294040.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权保护铜导线互连工艺中通孔底部金属界面的方法是由杨文超设计研发完成，并于2022-10-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本保护铜导线互连工艺中通孔底部金属界面的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种保护铜导线互连工艺中通孔底部金属界面的方法，提供衬底，衬底上形成有第一层间介质层，第一层间介质层上形成有第一开口，第一开口中填充有第一互连层，第一互连层包括第一金属层及形成与第一金属层表面的第二金属层，第一互连层和第一层间介质层上形成有刻蚀停止层，刻蚀停止层上形成有第二层间介质层；利用干法刻蚀的方法刻蚀第二层间介质层及其下方的刻蚀停止层形成第二开口，使得第二金属层裸露，在干法刻蚀中控制含氧气体的的气体流量在预设范围内和或添加保护气体；在保护气体的氛围下，利用电中性液体清洗衬底。本发明的方法解决由于单一的工艺调整很难完全解决通孔下接触金属表面的损伤缺陷问题。

本发明授权保护铜导线互连工艺中通孔底部金属界面的方法在权利要求书中公布了：1.一种保护铜导线互连工艺中通孔底部金属界面的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供衬底，所述衬底上形成有第一层间介质层，所述第一层间介质层上形成有第一开口，所述第一开口中填充有第一互连层，所述第一互连层包括第一金属层及形成与所述第一金属层表面的第二金属层，所述第一金属层的材料为铜，所述第二金属层的材料为钴，所述第一互连层和所述第一层间介质层上形成有刻蚀停止层，所述刻蚀停止层上形成有第二层间介质层； 步骤二、利用干法刻蚀的方法刻蚀所述第二层间介质层及其下方的所述刻蚀停止层形成第二开口，使得所述第二金属层裸露，在所述干法刻蚀中控制含氧气体的的气体流量在预设范围内和添加保护气体，所述保护气体为氮气；其中，在所述干法刻蚀的LRM步骤中，所述含氧气体的气体流量小于等于45ccm，并且在所述干法刻蚀的PET步骤中，所述保护气体的气体流量小于等于200ccm； 步骤三、在所述保护气体的氛围下，利用电中性液体清洗所述衬底； 步骤四、在所述保护气体的氛围下，利用量测机台检测刻蚀后关键尺寸是否符合设计标准，若是，则在所述第二开口上形成第三金属层。

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