晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)王伟远获国家专利权
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龙图腾网获悉晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)申请的专利一种剥离方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115411606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211025740.1，技术领域涉及：H01S5/00；该发明授权一种剥离方法是由王伟远;李利;成磊;梅石磊;陈宇星;刘浩伟设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种剥离方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种剥离方法，包括步骤如下：提供初始器件，所述初始器件包括第一区和与第一区邻接的第二区；在所述初始器件上形成图形化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层位于第一区上且暴露出第二区；在所述第一光刻胶层的表面和初始器件的第二区上形成导电层；在第二区上的导电层上形成第二光刻胶层，且所述第二光刻胶层暴露出第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层；以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层之后，去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层。剥离方法能同时提高剥离效率和良率。
本发明授权一种剥离方法在权利要求书中公布了：1.一种剥离方法，其特征在于，包括步骤如下： 提供初始器件，所述初始器件包括第一区和与第一区邻接的第二区； 在所述初始器件上形成图形化的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层位于第一区上且暴露出第二区； 在所述第一光刻胶层的表面和初始器件的第二区上形成导电层，所述导电层包括自下至上垂直层叠的第一子导电层、第二子导电层和第三子导电层； 在第二区上的导电层上形成第二光刻胶层，且所述第二光刻胶层暴露出第一区上的导电层； 以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层； 以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层之后，去除所述第二光刻胶层和第一光刻胶层； 其中，以所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀去除第一区上的导电层，包括：采用湿法刻蚀工艺去除所述第一区上的第三子导电层和第二子导电层；去除所述第一区上的第三子导电层和第二子导电层之后，采用等离子体表面处理工艺去除所述第一区上的第一子导电层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晋城市光机电产业协调服务中心(晋城市光机电产业研究院)，其通讯地址为：048000 山西省晋城市金鼎路双创产业园（光机电加速器）6号楼3层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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