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龙图腾网获悉电子科技大学长三角研究院(湖州)申请的专利一种基于二维磁性材料的宽波段光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498058B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211029841.6，技术领域涉及：H10F30/10；该发明授权一种基于二维磁性材料的宽波段光电探测器及其制备方法是由刘富才;李长存;刘庆;周雷设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于二维磁性材料的宽波段光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于二维磁性材料的宽波段光电探测器及其制备方法，以二氧化硅为支撑衬底，二维磁性单晶薄膜为沟道层，金属电极为电极层，hBN为封装层制备得到，其中二维磁性单晶薄膜由二维磁性单晶材料经机械剥离后制得；宽波段光电探测器的可见光区响应时间为121.7ms，响应度为26.1AW。本发明通过探索二维磁性材料的磁性和光电特性之间的相互作用，在开发先进的自旋‑光电器件应用方面具有巨大的潜能。

本发明授权一种基于二维磁性材料的宽波段光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于二维磁性材料的宽波段光电探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、将样品台加热至55-65℃后，利用PC干法转移将二氧化硅衬底上的二维磁性单晶薄膜提起； S2、在另一二氧化硅衬底上预先蒸镀电极层，并将S1的带有二维磁性单晶薄膜的PC转移膜贴附到电极层上，加热至170-190℃； S3、将S2制备的器件溶解掉PC转移膜后，采用PC干法转移于器件上覆盖封装层，完成制备； 所述基于二维磁性材料的宽波段光电探测器以二氧化硅为支撑衬底，二维磁性单晶薄膜为沟道层，金属电极为电极层，hBN为封装层制备得到，其中所述二维磁性单晶薄膜由二维磁性单晶材料经机械剥离后制得； 所述二维磁性单晶材料通过助溶剂方法或化学气相传输方法制备得到，其中所述化学气相传输方法包括以下步骤： 1将铁粉、钽粉和硫粉混匀后于密闭条件下在5h内升温至400-500℃并保持24h后，继续于5h内升温至950-1050℃，保持48h，制得粉晶材料； 2将粉晶材料研磨后与传输剂混合，于密闭条件下在10h内升温至600-800℃，并保温7d，反应结束后迅速冷却至室温，在低温区收集得到二维磁性单晶材料； 所述助溶剂方法包括以下步骤： 1将铁粉、钽粉和硫粉混匀后于密闭条件下在5h内升温至400-500℃并保持24h后，继续于5h内升温至950-1050℃，保持48h，制得粉晶材料； 2将粉晶材料冷却至室温后研磨，与助溶剂混合，于密闭条件下，升温至850-950℃并保持9-12h，再以1-2℃h的速率冷却至650-750℃，保持45-50h； 3将步骤2制得的初产物冷却至室温后，采用去离子水和无水乙醇清洗并真空干燥，制得； 所述化学气相传输方法及助溶剂法中铁粉、钽粉和硫粉的化学计量比均为0.26-0.8:0.5-1:2，所述传输剂为碘单质，所述传输剂与粉晶材料的质量比为1:10；助溶剂由质量比为7:3的钠盐和钾盐混合得到，所述助溶剂与初产物的质量比为4-6:1。

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