上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司康晓旭获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利器件结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115148596B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210758522.2，技术领域涉及：H01L21/31；该发明授权器件结构及其制造方法是由康晓旭;赵宇航设计研发完成，并于2022-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本器件结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种器件结构及其制造方法。所述器件结构包括顺次堆叠的衬底、第一目标薄膜电阻层、第二目标薄膜电阻层和侧壁导电层。所述第一目标薄膜电阻层的至少一侧壁和所述第二目标薄膜电阻层的位于同侧的侧壁均设有开口以围成至少一个缺口结构，且至少部分侧壁覆盖所述侧壁导电层并与所述衬底的衬底导电层电接触便于引出电信号；所述第二目标薄膜电阻层遮蔽所述第一目标薄膜电阻层的至少一侧侧壁，所述至少一个缺口结构与所述第一目标薄膜电阻层的为所述第二目标薄膜电阻层所遮蔽的侧壁位于不同侧，能够最大限度避免在不需要薄膜沉积的台阶侧壁产生薄膜残留，节省后续去除侧壁薄膜的步骤，以有利于提升器件性能并控制成本。
本发明授权器件结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种器件结构，其特征在于，包括： 顺次堆叠的衬底、第一目标薄膜电阻层和第二目标薄膜电阻层，以及侧壁导电层，所述衬底包括与所述侧壁导电层电接触的衬底导电层； 所述第一目标薄膜电阻层的至少一侧壁和所述第二目标薄膜电阻层的位于同侧的侧壁均设有开口以围成至少一个缺口结构，所述侧壁导电层覆盖所述缺口结构的至少部分侧壁； 所述第二目标薄膜电阻层遮蔽所述第一目标薄膜电阻层的至少一侧侧壁； 至少一个所述缺口结构与所述第一目标薄膜电阻层的为所述第二目标薄膜电阻层所遮蔽的侧壁位于不同侧； 至少两个所述缺口结构沿第一径向方向相对排布，所述第二目标薄膜电阻层沿第二径向方向的两个端部遮蔽所述第一目标薄膜电阻层相对的两个侧壁，所述第二径向方向在同一水平面上垂直于所述第一径向方向。
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