上海华虹宏力半导体制造有限公司韩国庆获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华虹宏力半导体制造有限公司申请的专利通孔层的光学临近修正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115146578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210784938.1，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权通孔层的光学临近修正方法是由韩国庆;吴姗姗;金晓亮;袁春雨设计研发完成，并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本通孔层的光学临近修正方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种通孔层的光学临近修正方法，包括：提供半导体器件的版图，版图包括金属层和通孔层，通孔层包括若干个通孔，金属层包括若干个金属线，通孔位于金属线上；查询金属线形成的U型结构，将位于U型结构的内侧的通孔挑出，作为待修正的通孔；对所有待修正的通孔的通过光学临近修正方法将待修正的通孔的尺寸缩小，无需修正的通孔的尺寸不变。本发明增加了”U”型金属线内侧的通孔与氧化物层的缝隙的距离，增大了通孔和金属线对准的工艺窗口，避免了出现向通孔填充钨失败的问题，并且还提高了通孔和金属线的对准率，从而提高了器件的质量。
本发明授权通孔层的光学临近修正方法在权利要求书中公布了：1.一种通孔层的光学临近修正方法，其特征在于，包括： 提供半导体器件的版图，所述版图包括金属层和通孔层，所述通孔层包括若干个通孔，所述金属层包括若干个金属线，所述通孔位于所述金属线上，所述版图还包括氧化物层，所述氧化物层将若干个所述金属线分隔开； 查询所述金属线形成的U型结构，将位于所述U型结构的内侧的通孔挑出，作为待修正的通孔，所述U型结构由三个呈直线形状的所述金属线组成，三个所述金属线依次连接形成所述U型结构；以及 对所有所述待修正的通孔通过光学临近修正方法将待修正的通孔的尺寸缩小，增加所述通孔与氧化物层的缝隙的距离，无需修正的通孔的尺寸不变。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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