华南师范大学王幸福获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利一种大尺寸外延层及其剥离方法和剥离装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114864402B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210478326.X，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种大尺寸外延层及其剥离方法和剥离装置是由王幸福;黎佩珊设计研发完成，并于2022-05-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大尺寸外延层及其剥离方法和剥离装置在说明书摘要公布了：本发明涉及一种大尺寸外延层及其剥离方法和剥离装置，该剥离方法基于键合至目标衬底上的生长衬底，生长衬底包含重掺杂层和目标层，在生长衬底的边缘四周刻蚀至重掺杂层形成第一凹槽，在第一凹槽中形成导电环层与工作电极接触，在距离第一凹槽一定距离处刻蚀至重掺杂层形成第二凹槽，第二凹槽用于注入适量的电解质溶液，电化学腐蚀获得异质集成于目标衬底上的大尺寸外延层。相应地，该剥离装置设置有导电垫圈、容液腔和位于导电垫圈和容液腔之间的密封圈。该剥离方法和剥离装置能够在减少电极参与电解带来的电子泄露的同时，缩短了电流传输的路径，避免了传统的单点电极电流扩展不均匀和电能利用率低的问题，提高湿法剥离的效率和均匀性。
本发明授权一种大尺寸外延层及其剥离方法和剥离装置在权利要求书中公布了：1.一种大尺寸外延层的剥离方法，其特征在于，包括以下步骤： 将目标衬底键合至包含有重掺杂层和目标层的生长衬底上； 在所述目标衬底上形成第一预定图案的第一掩膜层，以所述第一掩膜层为掩膜刻蚀所述目标层至所述重掺杂层中一定深度，形成沿所述生长衬底边缘的四周设置的第一凹槽； 在所述目标衬底上形成第二预定图案的第二掩膜层，以所述第二掩膜层为掩膜刻蚀所述目标层至所述重掺杂层中一定深度，形成第二凹槽，第一凹槽包围第二凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽相邻边缘之间的间距不小于1mm； 在所述第一凹槽中形成与工作电极接触的导电层； 在所述第二凹槽中注入适量电解质溶液； 采用电化学腐蚀所述重掺杂层，释放所述目标层，获得异质集成于目标衬底上的所述目标层，即大尺寸外延层。
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