买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种改善掩模版光刻图形离焦的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114779574B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210394303.0，技术领域涉及：G03F1/70；该发明授权一种改善掩模版光刻图形离焦的方法是由詹海娇;高松设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善掩模版光刻图形离焦的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种改善掩模版光刻图形离焦的方法，提供未沉积任何遮光材料的掩模版玻璃基板；根据产品的图形设计布局，对具有不同聚焦值的光刻图形对应在掩模版上的区域的玻璃基板进行刻蚀，各区域间刻蚀深度的差值与对应光刻图形间的聚焦值差值保持一致；对刻蚀后的掩膜版玻璃基板进行遮光材料沉积；根据产品的图形设计布局对掩膜版进行曝光和刻蚀，将图形转移到掩模版上，得到制备的掩膜版；使用制备的掩模版对晶圆进行曝光，将制备的掩模版上图形转移至晶圆上；通过线宽测量扫描电子显微镜对所述光刻图形的关键尺寸进行测量，检测晶圆表面不同光刻胶厚度区域的光刻图形是否均在最佳曝光位置，若某些光刻图形的最佳聚焦值有差，则需根据测量结果对掩膜版玻璃基板的刻蚀深度进行调整。

本发明授权一种改善掩模版光刻图形离焦的方法在权利要求书中公布了：1.一种改善掩模版光刻图形离焦的方法，其特征在于，至少包括： 步骤一、提供未沉积任何材料的掩模版玻璃基板； 步骤二、根据产品的图形设计布局，对具有不同聚焦值的光刻图形对应在所述掩模版上的区域的玻璃基板进行刻蚀，各区域间刻蚀深度的差值与对应光刻图形间的聚焦值差值保持一致，透过所述掩模版不同刻蚀深度的光线由于光程差形成不同的聚焦平面，从而获得具有不同聚焦值的所述光刻图形； 步骤三、对刻蚀后的所述掩模版玻璃基板进行遮光材料沉积； 步骤四、根据产品的图形设计布局对沉积有遮光材料的所述掩模版进行曝光和刻蚀，将图形转移到所述掩模版上，得到制备的掩模版； 步骤五、使用所述制备的掩模版对晶圆进行曝光，将所述制备的掩模版上图形转移至晶圆上； 步骤六、通过线宽测量扫描电子显微镜对所述光刻图形的关键尺寸进行测量，检测晶圆表面不同光刻胶厚度区域的所述光刻图形是否均在最佳曝光位置，若某些所述光刻图形的最佳聚焦值有差，则需返回步骤二，根据测量结果对所述掩模版的刻蚀深度进行调整。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海华力集成电路制造有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。