捷捷微电(南通)科技有限公司王友伟获国家专利权
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龙图腾网获悉捷捷微电(南通)科技有限公司申请的专利一种沟槽肖特基结构制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114843177B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210394894.1，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种沟槽肖特基结构制作方法是由王友伟;徐雷军;王维;龚飞设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沟槽肖特基结构制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种沟槽肖特基结构制作方法，涉及半导体工艺技术领域。首先利用图像化光刻板层在外延层上刻蚀沟槽，再基于沟槽的内壁生长介质层，然后沿外延层的表面沉积多晶硅，其中，多晶硅位于外延层的表面与沟槽内，再将位于外延层表面的多晶硅氧化，以形成氧化层，然后基于氧化层刻蚀接触孔，并露出沟槽，最后基于接触孔沉积势垒金属与正面金属，以形成沟槽肖特基结构。本申请提供的沟槽肖特基结构制作方法具有制作了工艺、节省了制作成本的优点。
本发明授权一种沟槽肖特基结构制作方法在权利要求书中公布了：1.一种沟槽肖特基结构制作方法，其特征在于，所述沟槽肖特基结构制作方法包括： 利用图像化光刻板层在外延层上刻蚀沟槽； 基于所述沟槽的内壁生长介质层； 沿所述外延层的表面沉积多晶硅，其中，所述多晶硅位于所述外延层的表面与所述沟槽内； 将位于所述外延层表面的多晶硅氧化，以形成氧化层； 当所述光刻板层为SiO2层时，在预设区域同步刻蚀氧化层与光刻板层，以形成接触孔； 基于所述接触孔沉积势垒金属与正面金属，以形成沟槽肖特基结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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