株式会社村田制作所津田基嗣获国家专利权
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龙图腾网获悉株式会社村田制作所申请的专利高频模块和通信装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116601757B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180080607.3,技术领域涉及:H04B1/00;该发明授权高频模块和通信装置是由津田基嗣;深泽美纪子;吉见俊二;后藤聪设计研发完成,并于2021-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本高频模块和通信装置在说明书摘要公布了:高频模块1具备:模块基板90,其具有主面90a;集成电路70,其配置于主面90a,形成有功率放大电路11;以及SMD41d,其配置于主面90a,形成有与功率放大电路11直接连接的电路元件,其中,集成电路70具备:第一基材71,第一基材71的至少一部分由第一半导体材料构成;以及第二基材72,第二基材72的至少一部分由第二半导体材料构成,在第二基材72形成有功率放大电路11,第一基材71具有在俯视时彼此相向的边71s1和71s2,在俯视时,SMD41d离边71s1比离边71s2更近,在俯视时,第二基材72比第一基材71小,第二基材72在离边71s1比离边71s2更近的位置处与第一基材71重叠。
本发明授权高频模块和通信装置在权利要求书中公布了:1.一种高频模块,具备: 模块基板,其具有主面; 集成电路,其配置于所述主面,形成有功率放大电路;以及 电子部件,其配置于所述主面,形成有与所述功率放大电路直接连接的电路元件, 其中,所述集成电路具备: 第一基材,所述第一基材的至少一部分由第一半导体材料构成;以及 第二基材,所述第二基材的至少一部分由不同于所述第一半导体材料的第二半导体材料构成,在所述第二基材形成有所述功率放大电路, 所述第一基材具有在俯视时彼此相向的第一边和第二边, 在所述俯视时,所述电子部件离所述第一边比离所述第二边更近, 在所述俯视时,所述第二基材比所述第一基材小,所述第二基材在离所述第一边比离所述第二边更近的位置处与所述第一基材重叠。
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