上海华力集成电路制造有限公司周启光获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利针对版图中角对角结构的光学邻近校正方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114077155B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111392251.5，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权针对版图中角对角结构的光学邻近校正方法是由周启光;于世瑞;王飞舟设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本针对版图中角对角结构的光学邻近校正方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种针对版图中角对角结构的光学邻近校正方法，包括下列步骤：步骤S1，找出离子注入层光刻版图的原始图形；所述原始图形为角对角结构的图形；步骤S2，在原始图形的原始角部，分别切去一个角；得到有缺口的角部；步骤S3，在步骤S2图形基础上，做修正处理，得到目标图形结构，所述目标图形的角部形成有缺口，同时所述目标图形的角部的两邻角边形成有凸起；步骤S4，对所述目标图形进行基于模型的邻近光学效应校正，以得到模拟光阻轮廓线。
本发明授权针对版图中角对角结构的光学邻近校正方法在权利要求书中公布了：1.一种针对版图中角对角结构的光学邻近校正方法，其特征在于，包括下列步骤： 步骤S1，找出离子注入层光刻版图的原始图形；所述原始图形为角对角结构的图形； 步骤S2，在原始图形的原始角部，分别切去一个角；得到有缺口的角部； 步骤S3，在步骤S2图形基础上，做修正处理，得到目标图形结构，所述目标图形的角部形成有缺口，同时所述目标图形的角部的两邻角边形成有凸起； 步骤S4，对所述目标图形进行基于模型的邻近光学效应校正，以得到模拟光阻轮廓线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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