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龙图腾网获悉江苏第三代半导体研究院有限公司申请的专利一种氮化镓外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115312584B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111364861.4，技术领域涉及：H10D62/824；该发明授权一种氮化镓外延片及其制备方法是由李利哲设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种氮化镓外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请属于半导体技术领域，为解决现有外延片容易因晶格失配或应力而产生的翘曲问题，公开一种氮化镓外延片及制备方法。该氮化镓外延片包括：衬底，以及衬底上依次设置的低温AlN缓冲层、高温AlN缓冲层、疏松AlGaN层、铝渐变层、氮化镓过渡层和氮化镓外延层。低温AlN缓冲层和高温AlN缓冲层能够缓冲衬底与氮化镓过渡层之间的晶格失配，疏松AlGaN层能够起到应力缓解的作用，铝渐变层能够提高上方的氮化镓层的晶格匹配，而氮化镓外延通过该氮化镓过渡层能够进一步减少衬底与外延层之间的晶格失配产生的应力，能够防止大尺寸外延片因晶格失配或应力而产生的翘曲。该氮化镓外延层可通过CVD设备来制备。

本发明授权一种氮化镓外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化镓外延片，包括衬底，其特征在于：所述衬底上自下而上依次设置为低温AlN缓冲层、高温AlN缓冲层、疏松AlGaN层、铝渐变层、氮化镓过渡层和氮化镓外延层； 其中，所述氮化镓外延层的厚度为1.5-2微米，所述氮化镓过渡层的厚度为50-100nm； 所述疏松AlGaN层的制备包括：向反应腔室通入铝源、氮源、铟源、镓源，控制反应腔室内的压力为150-200mbar、温度为1050-1100℃，形成AlInGaN层；然后同时停止铝源、氮源、铟源和镓源的通入30-60s，形成所述疏松AlGaN层； 所述铝渐变层为AlxGa1-xN铝渐变层，所述AlxGa1-xN铝渐变层的制备包括：控制反应腔室内的温度为1150-1200℃，向反应腔室内通入铝源、镓源和氮源，形成厚度为80-150nm的AlxGa1-xN铝渐变层；其中，x为Al的含量，0≤x1，在通入过程中持续减少铝源的通入量，直至完全不通入铝源，从减少铝源通入到完全不通入铝源的时间为10-25min； 所述低温AlN缓冲层、所述高温AlN缓冲层以及疏松AlGaN层是在同一反应腔室内形成的。

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