意法半导体(鲁塞)公司A·马扎基获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体(鲁塞)公司申请的专利集成的超长时间常数时间测量设备和制造过程获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110875308B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910812739.5，技术领域涉及：H10D84/00；该发明授权集成的超长时间常数时间测量设备和制造过程是由A·马扎基;P·弗纳拉设计研发完成，并于2019-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成的超长时间常数时间测量设备和制造过程在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及集成的超长时间常数时间测量设备和制造过程。一种集成的超长时间常数时间测量设备包括串联连接的基本电容性元件。每个基本电容性元件由第一导电区域、介电层和第二导电区域的堆叠形成，介电层具有的厚度适合于允许电荷通过直接隧道效应流动。第一导电区域容纳在从半导体衬底的正面向下延伸到半导体衬底中的沟槽中。介电层位于半导体衬底的第一面上，特别是位于沟槽中的第一导电区域的一部分上。第二导电区域位于介电层上。
本发明授权集成的超长时间常数时间测量设备和制造过程在权利要求书中公布了：1.一种集成的超长时间常数时间测量设备，包括： 串联连接的多个基本电容性元件， 电容性存储元件，所述电容性存储元件被连接到所述串联连接的多个基本电容性元件的一端，并且被配置为被充电， 半导体阱，所述半导体阱在所述串联连接的多个基本电容性元件被定位的位置处被容纳在半导体衬底中， 第一触点和第二触点，通过穿过所述半导体阱的电路径被电连接，所述电路径包括被定位在沟槽的底部与所述阱的底部之间的部分， 检测电路，被配置为在所述第一触点与所述第二触点之间检测所述半导体阱中的电不连续性， 其中所述串联连接的多个基本电容性元件被配置为对充电的所述电容性存储元件放电，并且向所述串联连接的多个基本电容性元件的至少一个节点传送物理量，所述物理量表示所述电容性存储元件的所述放电的量，以及表示在所述电容性存储元件的放电操作的开始与所述物理量被传送的时刻之间所经过的持续时间， 其中每个基本电容性元件包括： 第一导电区域、介电层和第二导电区域的堆叠，所述介电层具有的厚度适合于允许电荷通过直接隧道效应流动， 其中所述第一导电区域被容纳在从半导体衬底的正面延伸到所述衬底中的沟槽中，以及 其中所述介电层位于所述半导体衬底的正面上，并且所述第二导电区域位于所述介电层上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人意法半导体(鲁塞)公司，其通讯地址为：法国鲁塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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