苏州晶湛半导体有限公司程凯获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶湛半导体有限公司申请的专利发光器件、发光器件的模板及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114072895B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-22发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980097776.0，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权发光器件、发光器件的模板及其制备方法是由程凯;张丽旸设计研发完成，并于2019-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光器件、发光器件的模板及其制备方法在说明书摘要公布了：一种发光器件、发光器件的模板及其制备方法，通过在衬底1上设置GaN基半导体层2和掩膜层3，其中掩膜层3包括多个间隔设置的掩膜开孔，且使用GaN基半导体层2填充掩膜开孔；并且在多个间隔设置的掩膜开孔内的GaN基半导体层2表面设置牺牲层4，利用间隔设置掩膜开孔，可以直接在掩膜开孔上形成间隔的发光单元5，避免侧壁刻蚀，提高了发光器件的发光效率，并且通过刻蚀牺牲层4来剥离发光器件，实现模板的重复利用，降低成本。
本发明授权发光器件、发光器件的模板及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种发光器件的模板，其特征在于，包括： 衬底， 设置于所述衬底上的GaN基半导体层和掩膜层，其中所述掩膜层包括多个间隔设置的掩膜开孔，且所述GaN基半导体层填充所述掩膜开孔；以及 设置于所述GaN基半导体层远离所述衬底一侧的表面，且位于所述多个间隔设置的掩膜开孔内的牺牲层，其中，所述牺牲层远离所述衬底一侧的高度不高于所述掩膜层远离所述衬底一侧的高度，所述发光器件形成于所述牺牲层上以便于在剥离所述牺牲层时，将所述发光器件从所述掩膜层及所述GaN基半导体层上剥离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州晶湛半导体有限公司，其通讯地址为：215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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