浙江大学杭州国际科创中心李东珂获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利柔性光电双控忆阻器及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120076708B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510519277.3，技术领域涉及：H10N70/20；该发明授权柔性光电双控忆阻器及其制备方法与应用是由李东珂;皮孝东;陈通;殷婵玲;杨德仁设计研发完成，并于2025-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本柔性光电双控忆阻器及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种柔性光电双控忆阻器及其制备方法与应用，该柔性光电双控忆阻器包括依次层叠设置的柔性衬底、底电极、复合功能薄膜以及顶电极，其中，所述底电极与所述顶电极的材料均选自银，所述复合功能薄膜包括层叠设置的铜基钙钛矿层以及第一疏水性聚合物层，所述顶电极层叠设置在所述第一疏水性聚合物层上，且所述顶电极不完全覆盖所述第一疏水性聚合物层。该柔性光电双控忆阻器在光信号刺激下表现出多种典型的光电突触可塑性，且几乎不受弯曲曲率和弯曲循环次数以及环境的影响，能够很好的应用于柔性电子产品。
本发明授权柔性光电双控忆阻器及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种柔性光电双控忆阻器，其特征在于，包括依次层叠设置的柔性衬底、底电极、复合功能薄膜以及顶电极，其中，所述底电极与所述顶电极的材料均选自银，所述复合功能薄膜包括层叠设置的铜基钙钛矿层以及第一疏水性聚合物层，所述顶电极层叠设置在所述第一疏水性聚合物层上，且所述顶电极不完全覆盖所述第一疏水性聚合物层；其中，所述铜基钙钛矿层的厚度小于或等于50nm，所述顶电极的厚度为90nm-110nm，所述底电极的厚度为90nm-110nm。
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