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龙图腾网获悉上海奥令科电子科技有限公司申请的专利一种带隙基准电压源的电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119512300B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411664944.9，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种带隙基准电压源的电路结构是由王昕宇;董羡;刘梦杰设计研发完成，并于2024-11-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带隙基准电压源的电路结构在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及电路技术领域，公开了一种带隙基准电压源的电路结构。该电路结构包括：两个负载电阻的第一端分别连接至VREF；第二端分别与第一三极管的集电极和第二三极管的集电极；第一三极管的基极连接至VREF，集电极与运算放大器的同相输入端连接；第二三极管的基极连接至VREF，集电极与运算放大器的反相输入端连接；输出端连接至VREF；第一三极管的发射极与第一带隙比例电阻连接和第二带隙比例电阻连接；第二带隙比例电阻接地；第二三极管的发射极与第二带隙比例电阻的第一端连接；第二三极管的发射极还与MOS管的漏极连接，MOS管的源极接地，MOS管的栅极连接至VREF。采用本方案，可以通过一个MOS管引入反馈的方法，大幅度改善了原有结构的温漂性能。

本发明授权一种带隙基准电压源的电路结构在权利要求书中公布了：1.一种带隙基准电压源的电路结构，其特征在于，包括： 两个负载电阻，两个负载电阻的第一端分别连接至VREF； 两个负载电阻的第二端分别与第一三极管Q1的集电极和第二三极管Q2的集电极； 所述第一三极管Q1的基极连接至VREF，集电极与运算放大器的同相输入端连接； 所述第二三极管Q2的基极连接至VREF，集电极与运算放大器的反相输入端连接； 所述运算放大器的输出端连接至VREF； 所述第一三极管Q1的发射极与第一带隙比例电阻R1的第一端连接；所述第一带隙比例电阻R1的第二端与第二带隙比例电阻R2的第一端连接；所述第二带隙比例电阻R2的第二端接地； 所述第二三极管Q2的发射极与第二带隙比例电阻R2的第一端连接； 所述第二三极管Q2的发射极还与MOS管的漏极连接，所述MOS管的源极接地，所述MOS管的栅极连接至VREF； 其中，负载电阻，第一三极管Q1以及第一带隙比例电阻R1构成第一通路； 所述第一通路的电流与第一三极管Q1的电流IQ1和第一带隙比例电阻R1的电流I1相同； 负载电阻，第二三极管Q2构成第二通路； 所述第二通路的电流与第二三极管Q2的电流IQ2相同； 所述第一通路和所述第二通路汇总后连接到所述第二带隙比例电阻R2与所述MOS管的并联电路；所述第二带隙比例电阻R2的电流为I2，所述MOS管的电流为IM1； 即I1+IQ2=I2+IM1； 其中，采用如下公式计算VREF： ； 其中，为电子热电压，，其中k代表玻尔兹曼常数，T表示绝对温度，q表示电子的电荷量，N为Q1与Q2发射极面积比值。

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