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龙图腾网获悉北京士模微电子有限责任公司申请的专利一种新型低噪声、低功耗带隙基准获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119292398B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411639611.0，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权一种新型低噪声、低功耗带隙基准是由韩书光;范明浩设计研发完成，并于2024-11-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种新型低噪声、低功耗带隙基准在说明书摘要公布了：本发明公开了一种新型低噪声、低功耗带隙基准，属于模拟集成电路领域，它是由多个ΔVBE单元所构成的网络结构组成，其中单个ΔVBE单元包括三极管Q1A‑Q1B、电流源I1；三极管Q1A的发射极面积是三极管Q1B的发射极面积的N倍，N是大于1的正整数；三极管Q1A的发射极可产生所需的ΔVBE电压。本发明具有噪声小、功耗小的优点，适合于高精度、低功耗应用。

本发明授权一种新型低噪声、低功耗带隙基准在权利要求书中公布了：1.一种低噪声、低功耗带隙基准，其特征在于，它是由多个ΔVBE单元所构成的网络结构组成，所述网络结构采用串联形式，包括ΔVBE单元1-ΔVBE单元9、电流源I1；ΔVBE单元x包括三极管QxA-QxB，x表示数字1-数字9，三极管QxA的集电极和三极管QxB的基极连接，三极管QxA的射极和三极管QxB的集电极连接；所述ΔVBE单元1中三极管Q1A的射极和ΔVBE单元2中三极管Q2A的基极连接，所述ΔVBE单元2中三极管Q2A的射极和ΔVBE单元3中三极管Q3A的基极连接，所述ΔVBE单元3中三极管Q3A的射极和ΔVBE单元4中三极管Q4A的基极连接，所述ΔVBE单元4中三极管Q4A的射极和ΔVBE单元5中三极管Q5A的基极连接，所述ΔVBE单元5中三极管Q5A的射极和ΔVBE单元6中三极管Q6A的基极连接，所述ΔVBE单元6中三极管Q6A的射极和ΔVBE单元7中三极管Q7A的基极连接，所述ΔVBE单元7中三极管Q7A的射极和ΔVBE单元8中三极管Q8A的基极连接，所述ΔVBE单元8中三极管Q8A的射极和ΔVBE单元9中三极管Q9A的基极连接，所述ΔVBE单元1中三极管Q1B的射极和ΔVBE单元2中三极管Q2B的基极连接，所述ΔVBE单元2中三极管Q2B的射极和ΔVBE单元3中三极管Q3B的基极连接，所述ΔVBE单元3中三极管Q3B的射极和ΔVBE单元4中三极管Q4B的基极连接，所述ΔVBE单元4中三极管Q4B的射极和ΔVBE单元5中三极管Q5B的基极连接，所述ΔVBE单元5中三极管Q5B的射极和ΔVBE单元6中三极管Q6B的基极连接，所述ΔVBE单元6中三极管Q6B的射极和ΔVBE单元7中三极管Q7B的基极连接，所述ΔVBE单元7中三极管Q7B的射极和ΔVBE单元8中三极管Q8B的基极连接，所述ΔVBE单元8中三极管Q8B的射极和ΔVBE单元9中三极管Q9B的基极连接，此连接方式为ΔVBE单元的串联形式；所述ΔVBE单元1中三极管Q1A的基极和集电极连接；所述ΔVBE单元1中三极管Q1A的集电极和电流源I1的负极连接，从而实现ΔVBE单元1的电流由电流源I1提供；所述电流源I1的正极与电源电压VDD连接；所述ΔVBE单元9中三极管Q9B的射极接地；所述三极管Q9A的射极可产生所需的电压ΔVBE×9，三极管Q9A的基极可产生所需的基准电压VREF。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京士模微电子有限责任公司，其通讯地址为：100083 北京市海淀区学清路10号院1号楼9层101；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。