芯联集成电路制造股份有限公司魏翔获国家专利权
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龙图腾网获悉芯联集成电路制造股份有限公司申请的专利一种衬底及半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223157525U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422374783.1，技术领域涉及：H10D86/00；该实用新型一种衬底及半导体器件是由魏翔;王琛;王冲;张俊龙设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种衬底及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种衬底及半导体器件，该衬底包括：基底层；顶层半导体层，顶层半导体层的厚度小于基底层的厚度；支撑介质层和应力缓冲层，层叠的设置在基底层和顶层半导体层之间，并将基底层和顶层半导体层连接，其中，支撑介质层的刚度大于应力缓冲层的刚度。本申请方案在基底层和顶层半导体层之间形成有支撑介质层和应力缓冲层，应力缓冲层用于缓解应力，支撑介质层能够有效提高衬底的硬度和刚度，进而改善衬底的弯曲度值；同时，支撑介质层和或应力缓冲层的导热系数大于氧化硅的导热系数，能够有效改善衬底的散热效率。
本实用新型一种衬底及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种衬底，其特征在于，包括： 基底层； 顶层半导体层，所述顶层半导体层的厚度小于所述基底层的厚度； 支撑介质层和应力缓冲层，层叠的设置在所述基底层和所述顶层半导体层之间，并将所述基底层和所述顶层半导体层连接，其中，所述支撑介质层的刚度大于所述应力缓冲层的刚度，且所述支撑介质层和或所述应力缓冲层的导热系数大于氧化硅的导热系数。
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