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龙图腾网获悉芯恩(青岛)集成电路有限公司申请的专利一种等离子体刻蚀装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223155976U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422292381.7，技术领域涉及：H01J37/32；该实用新型一种等离子体刻蚀装置是由汪勋设计研发完成，并于2024-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种等离子体刻蚀装置在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种等离子体刻蚀装置，供气结构通过支路管道向工艺腔内的支路进气结构通工艺气体，支路进气结构有喷气孔；第二ICP线圈结构有两个以上射频功率可独立调节的控制分线圈和固定在支路进气结构下方承载控制分线圈的承载结构。本实用新型通过各个控制分线圈的射频功率调节对晶圆边缘等离子体密度精细调节，提高晶圆边缘等离子刻蚀均匀性；同时支路进气结构中的堵头、开关结构配合调节晶圆边缘等离子体刻蚀均匀性；另外角度调节结构对喷气面角度调节，提高晶圆边缘等离子体密度的调节自由度；最后控制分线圈和喷气孔的中心对称分布，适应晶圆边缘等离子体刻蚀均匀性需要进行调节的热点区域分布，进一步提高晶圆边缘等离子体刻蚀均匀性。

本实用新型一种等离子体刻蚀装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述等离子体刻蚀装置包括工艺腔、主路管道、支路管道、支路进气结构、供气结构、第一ICP线圈结构和第二ICP线圈结构； 所述供气结构通过所述主路管道与所述工艺腔的顶盖连通，以从所述工艺腔的顶盖垂直向下喷出工艺气体；所述供气结构通过所述支路管道与所述工艺腔的上部侧壁连通，以从所述工艺腔的上部侧壁向所述工艺腔内的所述支路进气结构通入工艺气体，所述支路进气结构设置有喷气孔；所述第一ICP线圈结构固定于所述工艺腔内的所述支路进气结构的上方，所述第一ICP线圈结构可通过所述主路管道喷出的工艺气体生成等离子体；所述第二ICP线圈结构固定于所述支路进气结构的下方，所述第二ICP线圈结构可通过所述支路进气结构的所述喷气孔喷出的工艺气体生成等离子体； 所述第二ICP线圈结构包括一个承载结构和两个以上的控制分线圈，每个所述控制分线圈的射频功率可独立调节；所述控制分线圈按预设排布方式设置在所述承载结构内，所述承载结构固定在所述支路进气结构下方的预设位置；所述第二ICP线圈结构下方的预设位置用于设置待处理晶圆。

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