湖南大学梁世维获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南大学申请的专利一种抗辐射加固的碳化硅MOSFET结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119170647B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411298833.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种抗辐射加固的碳化硅MOSFET结构及其制备方法是由梁世维;陈家祺;王俊设计研发完成，并于2024-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗辐射加固的碳化硅MOSFET结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种抗辐射加固的碳化硅MOSFET结构及其制备方法，该结构包括由下至上顺次叠层的漏极金属、N衬底、N型碳化硅和源极金属，所述源极金属和N型碳化硅之间设置有多晶硅栅，所述多晶硅栅和N型碳化硅之间形成有栅氧，所述N型碳化硅的表面形成有源极区，所述源极区的表面与栅氧和源极金属接触，所述N型碳化硅的表面开设有沟槽，所述沟槽位于多晶硅栅的下方，所述沟槽填充有第一N型多晶硅，所述N型碳化硅上的表面形成有第一屏蔽区，所述第一屏蔽区包覆于沟槽的外侧。本发明能提升碳化硅MOSFET器件的抗单粒子栅穿能力和抗单粒子辐射能力。
本发明授权一种抗辐射加固的碳化硅MOSFET结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗辐射加固的碳化硅MOSFET结构，其特征在于，包括由下至上顺次叠层的漏极金属1、N衬底2、N型碳化硅3和源极金属4， 所述源极金属4和N型碳化硅3之间设置有多晶硅栅5，所述多晶硅栅5和N型碳化硅3之间形成有栅氧51， 所述N型碳化硅3的表面形成有源极区6，所述源极区6的表面与栅氧51和源极金属4接触，所述源极区6包括开设于N型碳化硅3表面的N阱槽61和填充于N阱槽61内的第二N型多晶硅62， 所述N型碳化硅3的表面形成有第二屏蔽区33，所述第二屏蔽区33包覆于源极区6的外侧，所述N阱槽61的一侧与N型碳化硅3接触，所述第二N型多晶硅62和N型碳化硅3形成异质结结构， 所述N型碳化硅3的表面开设有沟槽31，所述沟槽31位于多晶硅栅5的下方，所述沟槽31填充有第一N型多晶硅7，所述第一N型多晶硅7与源极金属4接触， 所述N型碳化硅3上的表面形成有第一屏蔽区32，所述第一屏蔽区32包覆于沟槽31的外侧。
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