奥视微(昆山)科技有限公司籍亚男获国家专利权
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龙图腾网获悉奥视微(昆山)科技有限公司申请的专利半导体结构及显示器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223157555U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422251385.0，技术领域涉及：H10H29/39；该实用新型半导体结构及显示器件是由籍亚男;赵影设计研发完成，并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及显示器件在说明书摘要公布了：本公开涉及显示技术领域，特别是涉及一种半导体结构及显示器件。半导体结构包括：衬底；发光结构，多个发光结构间隔设置于衬底的一侧；电极层，包括第一栅极、第一电极和第二电极，第一栅极沿发光结构的侧壁延伸，第一电极位于相邻发光结构之间的衬底上，第二电极位于发光结构远离衬底的表面，第一电极与第二电极中的其中一者为第一晶体管的源极，另一者为第一晶体管的漏极；有源层，位于电极层与发光结构之间，覆盖发光结构和衬底，第一电极和第二电极连接有源层。通过将第一晶体管形成在发光结构一侧，在制备显示器件时，驱动基板上无需制备第一晶体管，简化了驱动基板的制备工艺复杂度。
本实用新型半导体结构及显示器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 发光结构，多个所述发光结构间隔设置于所述衬底的一侧； 电极层，包括第一栅极、第一电极和第二电极，所述第一栅极沿所述发光结构的侧壁延伸，所述第一电极位于相邻所述发光结构之间的所述衬底上，所述第二电极位于所述发光结构远离所述衬底的表面，所述第一电极与所述第二电极中的其中一者为第一晶体管的源极，另一者为第一晶体管的漏极； 有源层，位于所述电极层与所述发光结构之间，覆盖所述发光结构和所述衬底，所述第一电极和第二电极连接所述有源层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人奥视微(昆山)科技有限公司，其通讯地址为：215000 江苏省苏州市昆山市开发区创业路8号云昆大厦2号楼5层503室03号工位；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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