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龙图腾网获悉江西耀驰科技有限公司;江西兆驰半导体有限公司申请的专利Mini-LED芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118763158B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411238114.X，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权Mini-LED芯片及其制备方法是由徐洲;梁根豪;曹广亮;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本Mini-LED芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Mini‑LED芯片及其制备方法，涉及半导体光电器件领域。制备方法包括以下步骤：S1、提供外延片，其包括多个预设区域；S2、形成键合层；S3、与第二衬底键合；S4、形成第一通孔；第一通孔远离预设区域的边缘设置，其侧壁呈倾斜状；S5、形成第一接触层；第一接触层覆盖第一通孔的底部及预设长度的侧壁，其仅与P型半导体层形成欧姆接触；S6、形成第二接触层，得到中间体；S7、在中间体上形成DBR层，并在第一接触层和第二接触层所在区域刻蚀形成第二通孔和第三通孔；S8、形成N电极和P电极，得到LED晶圆；S9、将LED晶圆切割，得到Mini‑LED芯片。实施本发明，可提升Mini‑LED芯片的光效。

本发明授权Mini-LED芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种Mini-LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、提供外延片，所述外延片包括第一衬底和依次层叠于所述第一衬底上的N型半导体层、有源层和P型半导体层；所述外延片包括多个预设区域，每个所述预设区域形成一个Mini-LED芯片； S2、在所述P型半导体层上形成键合层； S3、将步骤S2得到的外延片与第二衬底键合，并去除所述第一衬底； S4、形成第一通孔；所述第一通孔远离所述预设区域的边缘设置，且所述第一通孔的边缘未延伸至所述预设区域的任一边缘；所述第一通孔的横截面的面积小于所述预设区域表面积的5%，所述第一通孔刻蚀至所述P型半导体层，所述第一通孔的深度大于所述N型半导体层和所述有源层的总厚度；所述第一通孔的侧壁呈倾斜状，且倾斜角度≤70°； S5、在所述第一通孔内形成第一接触层；所述第一接触层覆盖所述第一通孔的底部及预设长度的侧壁，且所述第一接触层仅与所述P型半导体层形成欧姆接触；所述第一接触层的厚度小于所述第一通孔的深度； S6、在所述N型半导体层上形成第二接触层，得到中间体； S7、在所述中间体上形成DBR层，并在第一接触层和第二接触层所在区域刻蚀形成第二通孔和第三通孔； S8、形成N电极和P电极，得到LED晶圆；其中，所述N电极通过第三通孔与所述第二接触层电连接，所述P电极通过所述第二通孔与所述第一接触层电连接；所述N电极与所述P电极的顶面齐平； S9、将所述LED晶圆切割，得到Mini-LED芯片； 所述第一接触层包括依次层叠于所述P型半导体层上的第一金属层和第一刻蚀阻挡层；所述第一刻蚀阻挡层用于在刻蚀DBR层时保护所述第一金属层； 所述第二接触层包括依次层叠于所述N型半导体层上的第二金属层和第二刻蚀阻挡层，所述第二刻蚀阻挡层用于在刻蚀DBR层时保护所述第二金属层。

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