深圳佰维存储科技股份有限公司孙成思获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳佰维存储科技股份有限公司申请的专利一种芯片封装结构及储存器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223156018U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422180257.1，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型一种芯片封装结构及储存器是由孙成思;何瀚;王灿;路一平;覃云珍设计研发完成，并于2024-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种芯片封装结构及储存器在说明书摘要公布了：本申请提供一种芯片封装结构及储存器，涉及芯片领域。该芯片封装结构包括基板和芯片堆叠模块，芯片堆叠模块包括N层芯片堆叠层；第1层芯片堆叠层包括一对芯片，一对芯片并列设置于基板；第N层芯片堆叠层包括芯片，第N层芯片堆叠层的芯片和第N‑1层芯片堆叠层的芯片搭接固定；第N层芯片堆叠层的芯片相对于第N‑1层芯片堆叠层的芯片在第一方向上的偏移距离大于第N+1层芯片堆叠层的芯片相对于第N层芯片堆叠层的芯片在第二方向上的偏移距离。本申请能够缩小基板的宽度尺寸和降低芯片封装结构的厚度。
本实用新型一种芯片封装结构及储存器在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，所述芯片封装结构包括基板和芯片堆叠模块，所述芯片堆叠模块包括N层芯片堆叠层，N层所述芯片堆叠层依次堆叠于所述基板，满足：N为正整数，且N≥2；最靠近所述基板的所述芯片堆叠层为第1层所述芯片堆叠层，第1层所述芯片堆叠层包括一对芯片，一对所述芯片并列设置于所述基板； 第N层所述芯片堆叠层包括所述芯片，第N层所述芯片堆叠层的所述芯片和第N-1层所述芯片堆叠层的所述芯片搭接固定； 其中，第N层所述芯片堆叠层的所述芯片相对于第N-1层所述芯片堆叠层的所述芯片在第一方向上偏移设置，第N+1层所述芯片堆叠层的所述芯片相对于第N层所述芯片堆叠层的所述芯片在第二方向上偏移设置，所述第一方向和所述第二方向的方向相反，第N层所述芯片堆叠层的所述芯片相对于第N-1层所述芯片堆叠层的所述芯片在所述第一方向上的偏移距离大于第N+1层所述芯片堆叠层的所述芯片相对于第N层所述芯片堆叠层的所述芯片在所述第二方向上的偏移距离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳佰维存储科技股份有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区桃源街道平山社区留仙大道1213号众冠红花岭工业南区2区4、8栋1层-3层及4栋4层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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