太仓市同维电子有限公司李翔获国家专利权
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龙图腾网获悉太仓市同维电子有限公司申请的专利验证MOS管VGS导通阈值的测试夹具获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223155070U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422159194.1，技术领域涉及：G01R1/04；该实用新型验证MOS管VGS导通阈值的测试夹具是由李翔;费小凯;杜丽娟设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本验证MOS管VGS导通阈值的测试夹具在说明书摘要公布了：本实用新型涉及MOS管测试技术领域，具体为验证MOS管VGS导通阈值的测试夹具。所述测试夹具包括：直流电源DCSOURCE，具有至少两个独立可调节的输出通道；第一端子J1和第二端子J2，用于连接被测电路；分压电阻R1，用于限制电流；泄放电阻R2，用于保护MOS管；待测MOS管Q1；指示用发光二极管LED1；所述直流电源的第一通道CH1正极接到所述第一端子J1，负极GND1接到所述第二端子J2。本实用新型通过调节DCSOURCECH3的输出电压，从而改变MOS管Q1的源极S和栅极G的电压，用于前期评估MOS的VGS导通阈值范围。解决了现有MOS管由于匹配的外围电压精度不够导致开关延时甚至无法启动的问题。
本实用新型验证MOS管VGS导通阈值的测试夹具在权利要求书中公布了：1.一种验证MOS管VGS导通阈值的测试夹具，其特征在于，所述测试夹具包括： 直流电源DCSOURCE，具有至少两个独立可调节的输出通道； 第一端子J1和第二端子J2，用于连接被测电路； 分压电阻R1，用于限制电流； 泄放电阻R2，用于保护MOS管； 待测MOS管Q1； 指示用发光二极管LED1； 所述直流电源的第一通道CH1正极接到所述第一端子J1，负极GND1接到所述第二端子J2； 所述直流电源的第二通道CH3正极接到所述MOS管Q1的栅极G，负极GND3接到所述第二端子J2； 所述MOS管Q1的漏极D依次通过所述分压电阻R1和所述发光二极管LED1与所述第一端子J1串联； 所述MOS管Q1的源极S和栅极G之间并联连接所述泄放电阻R2。
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