泰科天润半导体科技(北京)有限公司李昀佶获国家专利权
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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种高开关速度的沟槽栅碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223157518U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422150980.5，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种高开关速度的沟槽栅碳化硅VDMOS是由李昀佶;张长沙;胡慧娜;施广彦设计研发完成，并于2024-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高开关速度的沟槽栅碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种高开关速度的沟槽栅碳化硅VDMOS，包括：碳化硅衬底上设有凸起部，碳化硅衬底上设有第一凹槽，第一凹槽内设有绝缘层；漂移层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；漂移层上设有第二凹槽；P型阱区下侧面连接至漂移层上侧面；N型源区连接至P型阱区；N型区域分别连接漂移层上侧面，N型源区外侧面以及P型阱区；栅介质层下部设于第二凹槽内，栅介质层外侧面分别连接N型源区内侧面以及P型阱区内侧面；栅介质层内设有沟槽；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层分别连接N型源区以及N型区域；漏极金属层分别连接碳化硅衬底以及绝缘层，提高器件的开关速度，降低器件的开关损耗。
本实用新型一种高开关速度的沟槽栅碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种高开关速度的沟槽栅碳化硅VDMOS，其特征在于：包括： 碳化硅衬底，所述碳化硅衬底上设有凸起部，所述碳化硅衬底上设有第一凹槽，所述第一凹槽内设有绝缘层； 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底上侧面；所述漂移层上设有第二凹槽； P型阱区，所述P型阱区下侧面连接至所述漂移层上侧面； N型源区，所述N型源区连接至所述P型阱区； N型区域，所述N型区域分别连接所述漂移层上侧面，N型源区外侧面以及P型阱区； 栅介质层，所述栅介质层下部设于所述第二凹槽内，所述栅介质层外侧面分别连接所述N型源区内侧面以及P型阱区内侧面；所述栅介质层内设有沟槽； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层分别连接N型源区以及N型区域； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层分别连接所述碳化硅衬底以及绝缘层。
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