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龙图腾网获悉泰科天润半导体科技(北京)有限公司申请的专利一种耐漏源电压过冲的碳化硅VDMOS获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223157519U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-25发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422156557.6，技术领域涉及：H10D30/66；该实用新型一种耐漏源电压过冲的碳化硅VDMOS是由李昀佶;张长沙;胡慧娜;施广彦设计研发完成，并于2024-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耐漏源电压过冲的碳化硅VDMOS在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种耐漏源电压过冲的碳化硅VDMOS，漂移层连接至碳化硅衬底，漂移层内设有导电层；漂移层上设有P型源区、N型源区、绝缘介质层以及P型阱区，P型源区连接至漂移层，P型源区分别连接N型源区以及绝缘介质层，N型源区连接至绝缘介质层，绝缘介质层连接至P型阱区，绝缘介质层以及N型源区均连接至P型阱区，漂移层上设有凹槽；掩蔽层设于凹槽内；栅介质层设于凹槽内，且栅介质层连接至掩蔽层，栅介质层分别连接漂移层以及P型阱区，栅介质层内设有沟槽；栅极金属层设于沟槽内；源极金属层分别连接P型源区、N型源区以及P型阱区；漏极金属层连接至碳化硅衬底，提高器件的耐漏极电压冲击能力的同时提高开关速度。

本实用新型一种耐漏源电压过冲的碳化硅VDMOS在权利要求书中公布了：1.一种耐漏源电压过冲的碳化硅VDMOS，其特征在于，包括： 碳化硅衬底； 漂移层，所述漂移层下侧面连接至所述碳化硅衬底的上侧面，所述漂移层内设有导电层；所述漂移层上设有P型源区、N型源区、绝缘介质层以及P型阱区，所述P型源区下侧面连接至所述漂移层，所述P型源区内侧面分别连接所述N型源区外侧面以及绝缘介质层外侧面，所述N型源区下侧面连接至所述绝缘介质层上侧面，所述绝缘介质层下侧面连接至所述P型阱区，所述绝缘介质层内侧面以及N型源区内侧面均连接至所述P型阱区，所述漂移层上设有凹槽； 掩蔽层，所述掩蔽层设于所述凹槽内； 栅介质层，所述栅介质层设于所述凹槽内，且所述栅介质层下侧面连接至所述掩蔽层上侧面，所述栅介质层外侧面分别连接所述漂移层以及P型阱区，所述栅介质层内设有沟槽； 栅极金属层，所述栅极金属层设于所述沟槽内； 源极金属层，所述源极金属层分别连接所述P型源区、N型源区以及P型阱区； 以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底的下侧面。

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